【雜志簡(jiǎn)介】

　　《發(fā)光學(xué)報(bào)》創(chuàng)刊于1980年，是中國(guó)物理學(xué)會(huì)發(fā)光分會(huì)、中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所主辦的，以發(fā)光學(xué)、凝聚態(tài)物質(zhì)中的激發(fā)態(tài)過程為專業(yè)方向的綜合性學(xué)術(shù)刊物。《發(fā)光學(xué)報(bào)》由徐敘瑢院士和范希武研究員擔(dān)任名譽(yù)主編，申德振研究員擔(dān)任主編。編輯部擁有編輯3人，他們?nèi)�部擁有大學(xué)畢業(yè)文憑和高級(jí)職稱的人員。《發(fā)光學(xué)報(bào)》的任務(wù)是反映本學(xué)科專業(yè)領(lǐng)域的科研和技術(shù)成就，及時(shí)報(bào)道國(guó)內(nèi)、外的學(xué)術(shù)動(dòng)態(tài)，開展學(xué)術(shù)討論和交流，提高從事本學(xué)科領(lǐng)域工作的專業(yè)人員的專業(yè)知識(shí)水平，為提高我國(guó)該學(xué)科的學(xué)術(shù)水平服務(wù)。本刊的讀者對(duì)象是從事上述領(lǐng)域科研和生產(chǎn)的專業(yè)科技人員和相關(guān)大專院校師生。2009年《發(fā)光學(xué)報(bào)》的影響因子：1.12。

　　主要學(xué)術(shù)專題包括：激發(fā)態(tài)過程的一般問題;光致發(fā)光和電致發(fā)光;輝光、陰極射線和等離子體發(fā)光;高能粒子和閃爍晶體;太陽(yáng)能電池以及半導(dǎo)體材料的光電特性;生物材料的光學(xué)特性;非線性光學(xué)和集成光學(xué);綠色照明工程等。本刊除設(shè)有“研究論文”欄目外，還開辟了“研究快報(bào)”和“研究簡(jiǎn)報(bào)”專欄，以供廣大作者盡快刊登報(bào)道上述研究領(lǐng)域的最新結(jié)果和進(jìn)展。本刊的讀者對(duì)象是從事上述領(lǐng)域科研和生產(chǎn)的專業(yè)人員。

　　本刊除設(shè)有“研究論文”欄目外，還開辟了“研究快報(bào)”和“研究簡(jiǎn)報(bào)”專欄，供廣大作者盡快刊登報(bào)道上述研究領(lǐng)域重要的最新結(jié)果和進(jìn)展。歡迎廣大研究人員光臨我們的網(wǎng)站并投稿!

　　【收錄情況】

　　國(guó)家新聞出版總署收錄

　　2000年獲中科院優(yōu)秀科技期刊二等獎(jiǎng)

　　2001年首批進(jìn)入期刊方陣

　　2004年被選入中國(guó)科技期刊精品庫(kù)

　　【欄目設(shè)置】

　　主要欄目：研究論文、研究簡(jiǎn)報(bào)、研究快報(bào)、簡(jiǎn)訊。

　　雜志優(yōu)秀目錄參考：

　　兼具磁共振響應(yīng)的碳量子點(diǎn)光致發(fā)光材料的構(gòu)筑和性能 任先艷，劉麗華，李瑜，REN Xian-yan，LIU Li-hua，LI Yu

　　染料敏化太陽(yáng)能電池Sm3+摻雜TiO2下轉(zhuǎn)換光陽(yáng)極的制備及性能 秦藝穎，胡志強(qiáng)，張普濤，郝洪順，聶銘歧，劉貴山，QIN Yi-ying，HU Zhi-qiang，ZHANG Pu-tao，HAO Hong-shun，NIE Ming-qi，LIU Gui-shan

　　2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)與MoS2界面的能級(jí)匹配與薄膜生長(zhǎng) 呂路，牛冬梅，謝海鵬，曹寧通，高永立，LYU Lu，NIU Dong-mei，XIE Hai-peng，CAO Ning-tong，Gao Yong-li

　　YVO4：Eu3+@SiO2核殼結(jié)構(gòu)納米復(fù)合材料的合成與表征 劉利娜，張東梅，張永勝，臧春和，唐春娟，LIU Li-na，ZHANG Dong-mei，ZHANG Yong-sheng，ZANG Chun-he，TANG Chun-juan

　　Ni/SnO2復(fù)合薄膜的制備與光電性能 何瑞英，魏長(zhǎng)平，王國(guó)棟，傘靖，彭春佳，HE Rui-ying，WEI Chang-ping，WANG Guo-dong，SAN Jing，PENG Chun-jia

　　Gd3+，Tm3+和Yb3+摻雜的Y2 O3微晶中Gd3+離子的紫外上轉(zhuǎn)換發(fā)光及其增強(qiáng)的研究 張鵬，李大光，劉世虎，王麗麗，ZHANG Peng，LI Da-guang，LIU Shi-hu，WANG Li-li

　　碳量子點(diǎn)負(fù)載TiO2納米棒陣列的光電化學(xué)性能 石鑫，徐建萍，李霖霖，王昶，李嵐，SHI Xin，XU Jian-ping，LI Lin-lin，WANG Chang，LI Lan

　　氧化鎵薄膜的制備及其日盲紫外探測(cè)性能研究 劉浩，鄧宏，韋敏，于永斌，陳文宇，LIU Hao，DENG Hong，WEI Min，YU Yong-bin，CHEN Wen-yu

　　氟化釔電子注入層對(duì)OLED器件性能的影響 張鐳，鄭宣明，林杰，劉星元，ZHANG Lei，ZHENG Xuan-ming，LIN Jie，LIU Xing-yuan

　　基于載流子平衡的效率及亮度提高的有機(jī)藍(lán)光器件 穆曉齡，曲加偉，郭永林，梁續(xù)旭，趙毅，MU Xiao-ling，QU Jia-wei，GUO Yong-lin，LIANG Xu-xu，ZHAO Yi

　　電子科技論文發(fā)表：基于粒子濾波的OFDM載波頻偏和信道聯(lián)合估計(jì)

　　摘 要： 一種基于粒子濾波(PF)的正交頻分復(fù)用(OFDM)系統(tǒng)在慢衰落瑞利信道下聯(lián)合信道估計(jì)和載波恢復(fù)的新方法被提出。該算法適用于多徑時(shí)變信道模型以及等效離散時(shí)間信道模型。算法引入了在非線性系統(tǒng)參數(shù)估計(jì)和跟蹤領(lǐng)域上十分有效的PF方法，將Kaman濾波與序貫蒙特卡羅采樣(SMCS)相結(jié)合來估計(jì)信道衰落系數(shù)以及載波頻偏(CFO)的后驗(yàn)概率密度，從而通過計(jì)算得到信道的響應(yīng)函數(shù)，并在此基礎(chǔ)上，利用MMSE均衡器消除碼間串?dāng)_(ICI)，進(jìn)行碼元估計(jì)。仿真結(jié)果表明了算法的有效性和優(yōu)越性。

　　關(guān)鍵詞： 電子科技論文發(fā)表,正交頻分復(fù)用,信道估計(jì),時(shí)延,載波頻偏,粒子濾波

　　發(fā)光學(xué)報(bào)最新期刊目錄

用于高效光提取的深紫外LED封裝體設(shè)計(jì)與優(yōu)化————作者：康聞?dòng)?尹君;黃家新;項(xiàng)磊磊;康俊勇;

摘要：針對(duì)AlGaN基深紫外LED出光效率低的難題，設(shè)計(jì)了氟樹脂緊密粘合的石英透鏡封裝結(jié)構(gòu)，有效解決了倒裝結(jié)構(gòu)LED光子從藍(lán)寶石襯底出射時(shí)較大內(nèi)全反射損失的難題。研究表明，較薄的界面氟樹脂結(jié)合層可形成相對(duì)匹配的折射率過渡，實(shí)現(xiàn)光子出射最大化，典型250 nm深紫外LED出光強(qiáng)度可提升28%。在此基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了具有反射側(cè)壁的陶瓷封裝基板，用以提高深紫外LED橫磁（Transverse magnetic, ...

BN量子點(diǎn)與雙戊酸協(xié)同誘導(dǎo)生長(zhǎng)的Rec.2020標(biāo)準(zhǔn)綠光CsPbBr₃納米晶復(fù)合材料————作者：劉漢強(qiáng);涂永華;魏俊青;謝楊楊;

摘要：CsPbBr₃鈣鈦礦納米晶具備出色的綠光發(fā)光特性和低成本制備優(yōu)勢(shì)，是有望滿足超高清顯示色域的重要材料。然而，由于元素成分比例和尺寸控制等多因素影響，CsPbBr₃鈣鈦礦納米晶難以在530 nm附近形成窄綠光發(fā)射，從而與Rec.2020色域要求的標(biāo)準(zhǔn)綠光存在明顯偏差。基于此，本工作在室溫下以配體輔助再沉淀法為基礎(chǔ)，通過在前驅(qū)體溶液中引入氮化硼量子點(diǎn)和雙戊酸...

氧化鋅基光電化學(xué)傳感器研究進(jìn)展————作者：賀立龍;向敏華;黃澳;董秀秀;徐春祥;

摘要：光電化學(xué)（PEC）傳感器具有背景信號(hào)低、響應(yīng)快、靈敏度高的優(yōu)點(diǎn)，在環(huán)境保護(hù)和公共健康方面發(fā)揮著重要作用。氧化鋅（ZnO）作為一種載流子濃度高、生物相容性良好，并且結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的光電材料，在PEC傳感領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文綜述了ZnO及其納米復(fù)合材料在PEC傳感領(lǐng)域的研究進(jìn)展。首先，從調(diào)控形貌、利用壓電效應(yīng)和引入缺陷工程三個(gè)方面，介紹了ZnO結(jié)構(gòu)調(diào)控的具體措施。其次，從貴金屬和類金屬角度總結(jié)了金屬增強(qiáng)...

X射線成像閃爍體光產(chǎn)額測(cè)量技術(shù)與優(yōu)化方法————作者：張譽(yù)戈;馬舸;萬鵬穎;鮑子臻;歐陽(yáng)瀟;劉林月;歐陽(yáng)曉平;

摘要：閃爍成像屏是X射線成像技術(shù)的核心部件，其光產(chǎn)額的精確測(cè)定對(duì)于提升成像系統(tǒng)的空間分辨率和推動(dòng)新型閃爍體的研發(fā)具有至關(guān)重要的作用。本文首先概述了X射線成像技術(shù)的基本原理，隨后系統(tǒng)地綜述了當(dāng)前X射線成像閃爍體光產(chǎn)額測(cè)量的主要方法。這些方法既包括基于能譜和X射線激發(fā)光譜的相對(duì)測(cè)量法，也涵蓋了利用光電倍增管（PMT）和光電二極管（PD）或雪崩光電二極管（APD）的絕對(duì)測(cè)量法。同時(shí)，本文深入剖析了封裝與耦合技...

鈣鈦礦材料的高能輻照穩(wěn)定性及損傷機(jī)制研究進(jìn)展————作者：劉曉慶;陸帥;夏夢(mèng)玲;

摘要：輻照損傷是醫(yī)療影像、大科學(xué)裝置、航天工業(yè)等各領(lǐng)域面臨的共性核心問題，材料的高能輻照穩(wěn)定性和損傷機(jī)理研究是其走向?qū)嶋H應(yīng)用必不可少的環(huán)節(jié)。新型鈣鈦礦半導(dǎo)體材料在高能輻射探測(cè)領(lǐng)域極具應(yīng)用前景，但其高能輻照穩(wěn)定性仍然存在爭(zhēng)議，輻照損傷機(jī)理尚不清晰。本文探討了高能輻射環(huán)境中鈣鈦礦的損傷機(jī)制及影響輻照穩(wěn)定性的主要因素，并提出了增強(qiáng)鈣鈦礦材料抗輻射能力的潛在策略，旨在獲得鈣鈦礦結(jié)構(gòu)與輻照穩(wěn)定性的構(gòu)效關(guān)系，為鈣鈦...

AlGaAs插入結(jié)構(gòu)對(duì)InAlGaAs/AlGaAs多量子阱發(fā)光特性的影響————作者：趙書存;王海珠;王登魁;甘露露;王禎勝;呂明輝;馬曉輝;

摘要：InAlGaAs/AlGaAs多量子阱（MQWs）因其較寬的光譜范圍，在近紅外及可見光區(qū)域受到越來越多的關(guān)注，并已經(jīng)成為新興的研究熱點(diǎn)。本研究采用MOCVD生長(zhǎng)技術(shù)制備InAlGaAs/AlGaAs多量子阱材料，依據(jù)選取插入層（ISL）材料時(shí)需要考慮的主要因素及理論計(jì)算，探究插入層結(jié)構(gòu)對(duì)量子阱發(fā)光性質(zhì)的影響。設(shè)計(jì)并生長(zhǎng)了無插入層的InAlGaAs量子阱及不同厚度不同Al組分的AlGaAs插入層。實(shí)...

大面積高功率940 nm光子晶體面發(fā)射激光器————作者：唐英翔;王超;肖垚;張志成;羅晨;仲崇喜;張燕;趙武;李順峰;王文鑫;王俊;

摘要：光子晶體面發(fā)射激光器（PCSEL）可以利用帶邊諧振效應(yīng)實(shí)現(xiàn)大面積相干振蕩，是一種能實(shí)現(xiàn)高亮度單模激射的新型半導(dǎo)體激光器。這使得PCSEL在激光雷達(dá)與3D傳感等領(lǐng)域具有很好的應(yīng)用前景。本文設(shè)計(jì)了一種正方單晶格非對(duì)稱錐形空氣孔結(jié)構(gòu)的PCSEL，通過增加光子晶體占空比提高基模與高階模之間的閾值差異，實(shí)現(xiàn)大模式面積下高功率單模激光輸出。實(shí)驗(yàn)表明，研制的940 nm PCSEL在10μs脈沖泵浦下輸出功率達(dá)...

錫基金屬鹵化物鈣鈦礦：合成、發(fā)光性能與LED應(yīng)用————作者：黃大譽(yù);劉冬杰;黨佩佩;連洪洲;林君;

摘要：發(fā)光二極管是新型顯示技術(shù)的核心部件，更是新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)之首。鈣鈦礦發(fā)光二極管作為最新興起的顯示技術(shù)，具有高色純度、廣色域、加工工藝簡(jiǎn)單、低成本等優(yōu)勢(shì)，是國(guó)內(nèi)外光電器件領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。然而，需要使用對(duì)環(huán)境有害的鹵化鉛鈣鈦礦才能實(shí)現(xiàn)高功率轉(zhuǎn)換效率。目前，鹵化錫鈣鈦礦因具有低的激子結(jié)合能和良好的電荷載流子遷移率成為最有前途的替代品。由于具有相似的離子半徑與價(jià)態(tài)，錫（Sn）可以部分或完全替換有毒的鉛（...

新型石榴石基綠色陶瓷顏料Y₃Ga₃MgSiO₁₂:Cr³⁺的合成及顏色性能（英文）————作者：楊斯涵;張騫;趙楚鑫;劉丹荷;宮新嬌;陳禹霏;王雪嬌;

摘要：采用傳統(tǒng)固相法成功合成了新型綠色陶瓷顏料Y₃Ga₃MgSiO₁₂∶xCr³⁺（x=0～0.2）。利用XRD、FE-SEM、UV-Vis光譜、XPS和色度值分析對(duì)顏料的性能進(jìn)行了全面的研究。結(jié)果表明，三價(jià)鉻離子占據(jù)了石榴石晶格中的[Ga1O₆]八面體位置，基質(zhì)提供的弱晶體場(chǎng)環(huán)境賦予了該顏料綠...

ZnO基器件中的負(fù)光電導(dǎo)特性研究————作者：張晴怡;楊羽欣;劉凱;王雷;陳峰;徐春祥;

摘要：作為第三代半導(dǎo)體電子器件中最著名的n型金屬氧化物之一，氧化鋅因具有高檢出率、高光學(xué)增益、高靈敏度等特點(diǎn)常用于高性能紫外光電探測(cè)器的構(gòu)筑。氧化鋅的光電導(dǎo)行為強(qiáng)烈依賴于其表界面性質(zhì)和導(dǎo)帶附近的缺陷態(tài)對(duì)光生載流子的捕獲和去捕獲。研究發(fā)現(xiàn)，由于載流子的損耗和缺陷捕獲，在ZnO器件中還能夠觀察到持續(xù)光電導(dǎo)現(xiàn)象（Persistent photoconductivity）甚至負(fù)光電導(dǎo)（Negative phot...

ZnO基透明導(dǎo)電薄膜————作者：史鈞達(dá);楊汝琪;胡杜楠;劉如敏;余濤;呂建國(guó);

摘要：ZnO是一種典型的第三代半導(dǎo)體材料，寬禁寬度3.37 eV。本征ZnO是一種n型半導(dǎo)體，采用施主元素?fù)诫s技術(shù)可以顯著提升其n型導(dǎo)電特性。ZnO基透明導(dǎo)電薄膜具有原料來源豐富、制備方法多樣、可室溫生長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)，可應(yīng)用于光電、傳感、光熱等諸多領(lǐng)域。其中，Al摻雜ZnO(AZO)是一種典型的透明導(dǎo)電氧化物（TCO），備受關(guān)注。本文以AZO薄膜為主要代表，綜述了ZnO基透明導(dǎo)電薄膜的最新研究進(jìn)展，包括摻雜Z...

NaGdMgTeO₆∶Eu³⁺熒光粉的光致發(fā)光及其多功能應(yīng)用————作者：劉芳芳;代正忙;周薇薇;李榮青;夏崢嶸;王子峰;楊密愛;朱浩東;趙旺;

摘要：通過高溫固相法成功合成了NaGdMgTeO₆∶xEu³⁺（x=0.1～1.0）紅色熒光粉，并采用X射線衍射（XRD）、掃描電子顯微鏡（SEM）、漫反射光譜（DR）、光致發(fā)光光譜（PL）、電致發(fā)光光譜（EL）等多種測(cè)試手段對(duì)其結(jié)構(gòu)形貌、光致發(fā)光特性進(jìn)行了詳細(xì)表征。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在397nm紫外光激發(fā)下，NaGdMgTeO₆∶Eu

1550 nm VCSEL硅基光電集成變跡光柵耦合器設(shè)計(jì)及入射角方向性優(yōu)化研究————作者：孫松偉;石琳琳;馬超;鄒永剛;范杰;付曦瑤;王玉坤;

摘要：為了打破均勻光柵對(duì)稱結(jié)構(gòu)的限制，進(jìn)一步提高硅基光電集成片上光源的耦合效率。本研究提出基于絕緣襯底上硅結(jié)構(gòu)的高效遞進(jìn)式光柵耦合器的設(shè)計(jì)，適用于垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）鍵合到硅光子集成電路，降低了VCSEL光電集成對(duì)鍵合角度的工藝難度要求。該方法通過同時(shí)改變光柵的周期和占空比，并優(yōu)化光柵的刻蝕深度，實(shí)現(xiàn)了對(duì)布拉格條件的調(diào)整，使衍射場(chǎng)分布與高斯場(chǎng)分布更為匹配。此外，還優(yōu)化設(shè)計(jì)周期與占空比為定值的...

雙分子鈍化埋底界面制備高效鈣鈦礦太陽(yáng)能電池————作者：文超;陳茜羽;盧穎婕;劉佳澎;姚廣平;王麗丹;蘇子生;

摘要：鈣鈦礦太陽(yáng)能電池（PSCs）的電子收集特性是影響器件性能的關(guān)鍵因素之一。化學(xué)浴沉積法制備的二氧化錫（SnO₂）是PSCs常見的電子傳輸層材料，但是，其表面常存在大量氧空位缺陷，在SnO₂/鈣鈦礦埋底界面處造成非輻射復(fù)合損失。本文利用四氯化錫（SnCl₄）和鉻酸銨(（NH₄）₂CrO

氧鋅鎂：從材料特性到紫外探測(cè)應(yīng)用————作者：朱勇學(xué);程禎;劉可為;申德振;

摘要：氧鋅鎂（ZnMgO）是由寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鋅（ZnO）和氧化鎂（MgO）構(gòu)成的三元合金，作為直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體，其禁帶寬度理論上可在ZnO的3.37 eV和MgO的7.8 eV之間連續(xù)可調(diào)，并且具有納米結(jié)構(gòu)豐富、制備溫度低、抗輻射能力強(qiáng)、穩(wěn)定性高等特性，是一種優(yōu)異的紫外光電探測(cè)材料。更為有趣的是，除了上述優(yōu)點(diǎn)外，ZnMgO還具備壓電性、熱釋電性和鐵電性等豐富的物理性質(zhì)，為其紫外探測(cè)器的應(yīng)用拓展...

p型MgZnOS透明導(dǎo)電薄膜及其p-n結(jié)型自驅(qū)動(dòng)紫外光電探測(cè)器研究————作者：郭紫曼;汪洋;劉洋;張騰;陳劍;盧寅梅;何云斌;

摘要：針對(duì)純Zn O半導(dǎo)體的p型摻雜難題，提出采用陰(S^2-)陽(yáng)(Mg²⁺)離子復(fù)合取代、協(xié)同調(diào)控Zn O合金電子能帶結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，進(jìn)行N受主摻雜的新思路，并采用脈沖激光沉積法成功制備了N摻雜p型透明導(dǎo)電Mg Zn OS薄膜。通過X射線衍射、透射光譜、霍爾效應(yīng)、X射線光電子能譜和二次離子質(zhì)譜測(cè)試分析了薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、光電學(xué)性質(zhì)及化學(xué)組分。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，制備的Mg...

從單晶MgZnO到非晶Ga₂O₃：深紫外光電探測(cè)器的發(fā)展和選擇————作者：梁會(huì)力;朱銳;杜小龍;梅增霞;

摘要：寬帶隙半導(dǎo)體在研制無濾光片緊湊型日盲紫外探測(cè)器方面具有極大的發(fā)展?jié)摿Α１疚慕Y(jié)合本團(tuán)隊(duì)在分子束外延Mg Zn O單晶薄膜和磁控濺射非晶Ga₂O₃薄膜以及相應(yīng)日盲紫外探測(cè)器的研究經(jīng)驗(yàn)，綜述了以Mg Zn O和非晶Ga₂O₃為代表的寬帶隙氧化物半導(dǎo)體深紫外探測(cè)器研究進(jìn)展，發(fā)現(xiàn)非晶Ga₂O

氧空位對(duì)非晶InGaZnO基肖特基勢(shì)壘二極管性能的影響（英文）————作者：賈斌;童曉聞;韓子康;秦明;王立峰;黃曉東;

摘要：整流電路作為交流轉(zhuǎn)換直流的關(guān)鍵組件，在能量收集微系統(tǒng)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。傳統(tǒng)硅基或鍺基整流二極管因其特殊的制造工藝，阻礙了系統(tǒng)集成。相比之下，金屬氧化物二極管憑借其簡(jiǎn)單的制備技術(shù)，在系統(tǒng)集成方面展現(xiàn)出優(yōu)勢(shì)。氧化物半導(dǎo)體的氧空位缺陷會(huì)對(duì)器件的電學(xué)性能產(chǎn)生很大影響，因此通過調(diào)節(jié)氧空位濃度可以有效調(diào)控二極管的性能。為優(yōu)化二極管性能，本研究通過調(diào)整濺射過程中的氧氣流量，有效調(diào)控In Ga Zn O薄膜中的氧...

ZnO強(qiáng)耦合微腔中的激子極化激元————作者：朱海;王亞琪;王潤(rùn)晨;董君行;

摘要：ZnO高達(dá)60 meV的激子束縛能使其激子能在室溫甚至更高溫度下穩(wěn)定存在，這使得基于ZnO強(qiáng)耦合微腔的激子極化激元器件可以突破傳統(tǒng)半導(dǎo)體的低溫實(shí)驗(yàn)條件限制，是近十年來研究者所青睞的激子極化激元研究材料。本文介紹了ZnO主要的半導(dǎo)體微腔結(jié)構(gòu)，并聚焦于近年來報(bào)道的ZnO強(qiáng)耦合微腔及激子極化激元的相關(guān)現(xiàn)象，包括極化激元激光、參量散射以及量子態(tài)調(diào)控特性，最后對(duì)未來的研究方向提出了展望

稀土摻雜金屬氧化物薄膜晶體管研究進(jìn)展————作者：黃湘蘭;彭俊彪;

摘要：金屬氧化物薄膜晶體管（Metal oxide thin film transistors, MOTFTs）因其具有較高的載流子遷移率和較好的電學(xué)穩(wěn)定性，在大尺寸發(fā)光顯示驅(qū)動(dòng)背板應(yīng)用方面極具潛力。此外，MOTFTs與非晶硅薄膜晶體管的制備工藝兼容，制造成本較低，具有較大市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。然而，衡量MOTFTs性能的兩個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)——遷移率和穩(wěn)定性之間的矛盾限制了其高端顯示應(yīng)用。因此，開發(fā)高遷移率兼具高穩(wěn)定...

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