人工晶體學報最新期刊目錄

熱屏影響下直拉法單晶硅生長能耗及傳熱路徑研究————作者：祁超;李登輦;李早陽;楊垚;鐘澤琪;劉立軍;

摘要：單晶硅是太陽能電池的主要原材料，其生長成本直接影響電池的制造成本。因此，降低單晶硅生長能耗對光伏產業的降本增效至關重要。本文建立了直拉單晶硅生長的全局3D數值模型，考慮了單晶爐中加熱器、電極等非旋轉對稱結構，能夠更精確地模擬單晶爐內的流動和傳熱過程。基于所建立的數值模型，研究了熱屏冷（熱）側發射率對單晶爐內能耗分配及輻射、對流和導熱傳熱路徑的影響規律。結果表明，冷、熱側發射率的降低均可取得明顯的降...

高效可重現的SbI₃聲化學合成及其薄膜制備————作者：李晴雯;鐘敏;

摘要：二維金屬鹵化物近年來成為研究熱點，其中三碘化銻(SbI₃)因具有光學各向異性、較高的折射率、二次諧波等特性用于輻射探測器和光電器件。但SbI₃價格昂貴，限制了其大規模應用。本文以銻粉和碘粉為原料，首次采用聲化學方法合成了SbI₃，并研究了超聲時間、反應溶劑、Sb物質的量及銻碘摩爾比對產物的影響，并以此粉體為原料制得SbI_3...

微下拉法Er∶CNGG晶體的生長及光譜性能研究————作者：陳子航;王曉丹;劉堅;劉鵬;徐曉東;徐軍;

摘要：采用微下拉法生長出摻雜濃度（原子數分數）為0.3%、2.0%、3.0%和5.0%的Er∶CNGG晶體。X射線衍射（XRD）測試表明Er∶CNGG晶體屬于立方晶系。測試了Er∶CNGG晶體的吸收光譜、熒光光譜和熒光衰減曲線。5.0%Er∶CNGG晶體在968 nm處的吸收系數為1.70 cm^-1，半峰全寬（FWHM）為17.5 nm，可有效匹配商用激光二極管泵浦源。5.0%Er...

CuO/BiVO₄光催化劑的制備及催化還原溶液中六價鈾的研究————作者：劉宸;李小燕;

摘要：本文采用浸漬法制備得到對可見光響應的CuO/BiVO₄異質結催化劑，該催化劑被應用于對溶液中U（Ⅵ）的光催化還原去除過程，并系統研究了不同反應條件對催化劑光催化性能的影響。使用X射線光電子能譜（XPS）、X射線衍射儀（XRD）和掃描電子顯微鏡（SEM）對制備得到的樣品進行了分析表征。以U（Ⅵ）溶液作為反應物，研究了溶液pH和樣品投加量對所制得樣品的光催化還原活性的影響。結果表...

Pt修飾AlN單層對C₂H₆和C₆H₆吸附和氣敏特性的第一性原理研究————作者：莫秋燕;吳家隱;荊濤;

摘要：本文采用第一性原理計算方法系統研究了C₂H₆和C₆H₆ 兩種有機氣體在氮化鋁（AlN）單層及Pt修飾AlN的吸附特性。研究結果表明：對于C₂H₆，當其吸附在本征AlN單層上時，表現出較小的吸附能和電荷轉移量，導致AlN單層對C₂H₆

移動加熱器法生長的CZT晶體內部點缺陷精細調控研究————作者：喻超;張博;王琦琦;王希;胡于南;梁小燕;張繼軍;閔嘉華;王林軍;

摘要：生長態的CdZnTe （CZT）晶體中存在大量的本征點缺陷及其相關的復合缺陷，如何獲取這些點缺陷信息及其影響至關重要。本文設計CZT晶體高溫Cd氣氛退火，通過退火時間控制原子擴散程度，進而調控樣品點缺陷分布。對于移動加熱器法（THM）生長的富碲態CZT，本文運用光生電流瞬態譜（PICTS）、低溫光致發光（PL）、I-V測試和α粒子誘導瞬態電荷漂移測試研究了其點缺陷分布與電阻率、載流子遷移率和電荷收...

雙核V^IV配合物的合成、晶體結構及磁性研究————作者：金雨欣;于海麗;王鈺晴;謝龍琛;田洪瑞;陳寶寬;

摘要：本文以五氧化二釩（V₂O₅）作為釩源，吡唑-3，5-二羧酸（H₂L）和N-甲基咪唑（Me-Im）為配體，在溶劑熱的條件下合成了一例還原型雙核V^IV配合物，其化學式為［V^IV₂O₃（L）(Me-Im)₄］（1）。通過單晶X射線...

甘草酸對一水合草酸鈣結晶的抑制作用————作者：任雅琪;王蕾;李慧敏;曲亞倩;韓培卓;陶緒堂;

摘要：一水合草酸鈣（calcium oxalate monohydrate，COM）是腎結石最主要的成分。本文探討了一種多功能的天然產物——甘草酸（glycyrrhizic acid，GlA）對COM結晶過程的抑制作用及其作用機理。采用鈣離子選擇電極研究了COM的結晶動力學，通過光學顯微鏡和掃描電子顯微鏡定量分析了GlA對COM晶體的尺寸及形貌的影響。同時借助分子模擬計算了COM各晶面對GlA分子的吸附...

Mist-CVD法生長LiGa₅O₈單晶薄膜及其導電機理研究————作者：趙昊;余博文;李琪;李光清;劉醫源;林娜;李陽;穆文祥;賈志泰;

摘要：寬禁帶氧化物半導體普遍存在n型摻雜容易，p型摻雜較為困難的現象。LiGa₅O₈是一種理論上能夠進行雙極性摻雜的新型氧化物半導體材料，本文利用霧化學氣相沉積（mist-CVD）法生長非故意摻雜的高質量LiGa₅O₈單晶薄膜，并對薄膜質量、光學、電學等性能進行表征。測試結果發現生長的LiGa₅...

Fe摻雜GaN晶體低溫光致發光譜的偏振及溫度依賴性————作者：肖捷翔;楊超普;王建峰;張育民;易覺民;徐科;

摘要：本文利用低溫光致發光（photoluminescence，PL）光譜研究了Fe摻雜GaN晶體非極性m面的近帶邊DBE 1-LO、DBE_2e 1-LO、DBE 2-LO、DBE_2e 2-LO、DAP的偏振發光特性，結果表面五個峰均表現為偏振各向異性，且峰強度隨著偏振角度的增加而增強，低溫下Fe摻雜GaN單晶近帶邊發光峰均為部分偏振光，并表現出不同的偏振特性...

不同化學計量比氧化鎢(WO_3-x)甲烷氧化制甲醇反應的第一性原理研究————作者：秦紀龍;李向遠;張璐璐;劉建新;李瑞;

摘要：甲烷氧化制甲醇的關鍵挑戰在于催化劑對CH₄分子的高效活化。非化學計量比WO_3-x（0＜x＜3）因氧空位的可控性，兼具結構穩定性與導電性優勢，成為新型催化材料的研究熱點。基于此本文采用密度泛函理論方法，系統研究了6種不同WO_3-x催化氧化甲烷制甲醇的性能，并從物質結構、表面位點、甲烷氧化性能和電子性質等多個角度解析了過程機制。結果表明...

4英寸高質量GaN單晶襯底制備————作者：齊占國;王守志;李秋波;王忠新;邵慧慧;劉磊;王國棟;孫德福;于匯東;蔣鎧澤;張爽;陳秀芳;徐現剛;張雷;

摘要：本研究結合多孔襯底技術和應力調控策略，成功突破異質外延GaN單晶生長中的位錯延伸與應力控制難題，制備出直徑4英寸（1英寸=2.54 cm）的高質量GaN單晶。經切割、倒角、研磨及化學機械拋光等加工后，獲得厚度500μm的無損傷、超光滑4英寸自支撐GaN單晶襯底。該襯底兼具優異的結晶質量與出色的力學穩定性，表面無裂紋，應力分布均勻；陰極熒光光譜（CL）表征位錯密度為9.6×10～5 cm^-...

納米空心立方體ZnMn₂O₄/rGO復合材料的儲鋰性能————作者：張琳;蔡強浩;代漢文;汪燕鳴;王飛;

摘要：ZnMn₂O₄是一種潛在的高比容量鋰離子電池負極材料，但仍需提高其大電流充放電性能和循環壽命。本文通過簡便的室溫微乳液法和后續煅燒制備了邊長約200 nm的ZnMn₂O₄空心立方體，由粒徑30～50 nm的納米顆粒相互緊密連接形成。為了提高材料的導電性，將ZnMn₂O₄

p型TBC電池發射極制備工藝————作者：宋志成;張博;張春福;屈小勇;倪玉鳳;高嘉慶;

摘要：將隧穿氧化層鈍化接觸（TOPCon）結構引入背接觸太陽電池結構，制備得到隧穿氧化層鈍化接觸背接觸（tunneling oxide passivated contact back contact， TBC）太陽電池，能夠有效抑制電子、空穴的復合，提高光電轉換效率。本文重點關注p型TBC太陽電池的發射極制備工藝，深入研究了p型硅片上制備n型隧穿氧化鈍化接觸結構（n-TOPCon）的制備工藝和鈍化性能，...

Dy³⁺摻雜SrAl₂O₄∶Tb³⁺余輝發光熒光粉余輝性能優化————作者：舒建;李勝男;姜義;賈振國;

摘要：通過高溫固相法在空氣氣氛下合成了SrAl₂O₄∶x%Tb³⁺（SAO∶Tb,x=0.3, 0.5, 1.0, 2.0, 3.0）、SrAl₂O₄∶1.0%Tb³⁺,y%Dy³⁺（SAO∶Tb/Dy,y=0, 0.5, 1.0, 3.0, 5.0）...

Heusler合金Mn₂CoAl（100）的表面結構和電磁性質————作者：文林;江玲;顧玉鑫;杜信;沈光先;吳波;

摘要：本文采用第一性原理計算，系統地研究了Heusler合金Mn₂CoAl塊體的磁性及Mn₂CoAl（100）表面的原子弛豫、磁性、電子結構和表面原子極化行為。原子弛豫計算顯示，MnAl端面呈現層間差異化位移特征，第一層Mn原子向端面內部弛豫而Al原子向真空層外移，第二層原子均向真空層移動，第三層原子則呈現內縮趨勢；其余三種MnCo、MnMn和CoCo端面則表...

Tb³⁺,Sm³⁺摻雜的可變色KSrGd（WO₄）₃熒光粉的制備及發光性能研究————作者：王元娥;王晶;葛彩霞;傅國娟;宋明君;

摘要：采用高溫固相法合成了系列Tb³⁺、Sm³⁺單摻及Tb³⁺/Sm³⁺共摻雜的KSrGd（WO₄）₃熒光粉，并通過X射線衍射（XRD）、掃描電子顯微鏡（SEM）、激發光譜和發射光譜對合成熒光粉的結構、發光性能及能量傳遞機理進行了深入研究。在260和405 nm波長激發下，...

側壁修復提升237 nm AlGaN基Micro-LED光功率密度研究————作者：郝家龍;李宏博;呂順鵬;朱立財;孫文超;張若甲;劉鐘旭;蔣科;賁建偉;張山麗;孫曉娟;黎大兵;

摘要：AlGaN基深紫外Micro-LED在無掩膜光刻、日盲紫外保密通信等領域具有重要應用前景。然而，側壁效應和電流擁擠效應嚴重制約其高電流密度下的光功率密度。本研究制備了發光波長237 nm，臺面半徑分別為12.5、25.0、50.0 μm的深紫外Micro-LED，并系統探究了側壁損傷修復對不同尺寸和不同陣列化Micro-LED的影響規律。研究發現，使用KOH修復側壁可有效降低AlGaN基深紫外Mi...

白云石精制液可控制備高長徑比碳酸鈣晶須的研究————作者：于豐;鄭強;齊婷玉;張郁柏;馬亞麗;賈松巖;李雪;

摘要：以高濃度的白云石精制液為原料，采用碳化法制備高長徑比文石型碳酸鈣晶須。采用XRD、SEM、TEM等對碳酸鈣晶須樣品進行表征，主要考察了碳化溫度、攪拌速率、CO₂通氣速率、陳化時間對碳酸鈣分散程度和長徑比的影響。研究結果表明，制備碳酸鈣晶須的最佳工藝條件為：碳化溫度為80 ℃，CO₂通氣速率為25 mL/min，攪拌速率為200 r/min，陳化時間為1 ...

加熱器結構對輕摻磷超低氧直拉單晶硅氧雜質分布的影響————作者：商潤龍;陳亞;芮陽;王黎光;馬成;伊冉;楊少林;

摘要：絕緣柵雙極晶體管（insulated gate bipolar transistor，IGBT）是能源轉換與傳輸的核心器件，廣泛應用于軌道交通、智能電網、航空航天及電動汽車等領域。作為IGBT芯片的襯底材料，輕摻磷超低氧硅晶圓的品質對IGBT芯片的性能起著至關重要的作用。由于直拉法（Czochralski，Cz）單晶硅拉制的過程中需要用到含氧的石英坩堝，生長的單晶硅氧含量通常達到4×10^...

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