【雜志簡介】

　　《電子與封裝》雜志是目前國內唯一一本全面報道封裝與測試技術、半導體器件和IC設計與制造技術、產品與應用以及前沿技術、市場信息等的技術性刊物,是中國電子學會生產技術學分會(電子封裝專業)會刊、中國半導體行業協會封裝分會會刊。

　　【收錄情況】

　　國家新聞出版總署收錄

　　ASPT來源刊

　　中國期刊網來源刊

　　【欄目設置】

　　主要欄目：政策與策略、專家論壇、綜述、封裝與組裝、電路設計與測試、器件與制造、支撐技術、產品、應用與市場。

　　雜志優秀目錄參考：

　　有關QFN72和CQFN72的熱阻計算 賈松良，蔡堅，王謙，丁榮崢，JIA Songliang，CAI Jian，WANG Qian，DING Rongzheng

　　氮化鋁-鋁復合封裝基板的制備 李明鶴，彭雷，王文峰，LI Minghe，PENG Lei，WANG Wenfeng

　　CBGA植球工藝成熟度提升方法的研究 黃穎卓，練濱浩，林鵬榮，田玲娟，HUANG Yingzhuo，LIAN Binhao，LIN Pengrong，TIAN Lingjuan

　　基于JC-5600 ATE的單/雙電源運算放大器測試方法 趙樺，章慧彬，ZHAO Hua，ZHANG Huibin

　　一種適于FPGA芯片的SRAM單元及外圍電路設計 徐新宇，徐玉婷，林斗勛，XU Xinyu，XU Yuting，LIN Douxun

　　一種新型基準電流源電路設計 黃召軍，朱琪，施斌友，陳鐘鵬，萬書芹，張濤，HUANG Zhaojun，ZHU Qi，SHI Binyou，CHEN Zhongpeng，WAN Shuqin，ZHANG Tao

　　一種低抖動電荷泵鎖相環頻率合成器 楊霄壘，施斌友，黃召軍，季惠才，YANG Xiaolei，SHI Binyou，HUANG Zhaojun，JI Huicai

　　基于虛擬化技術的FPGA開發平臺設計 張海平，萬清，ZHANG Haiping，WAN Qin

　　鋁線鍵合的等離子清洗工藝研究 鐘小剛，ZHONG Xiaogang

　　CMOS工藝中抗閂鎖技術的研究 朱琪，華夢琪，ZHU Qi，HUA Mengqi

　　外延參數穩定性控制方法 王海紅，高翔，WANG Haihong，GAO Xiang

　　電路級熱載流子效應仿真研究 高國平，曹燕杰，周曉彬，陳菊，GAO Guoping，CAO Yanjie，ZHOU Xiaobin，CHEN Ju

　　高密度SIP設計可靠性研究 王良江，楊芳，陳子逢，WANG Liangjiang，YANG Fang，CHEN Zifeng

　　管理科學投稿：不銹鋼金相檢驗過程中的電解制樣的應用分析

　　摘 要：在實際的金相檢驗工作中，通常會采取電解法，將電流通入電解質中，通過發生反應對金屬的內部結構有更好的認識，與機械制樣方法相比，該方法首先可以避免拋光時產生的雜質，其次速度快，消耗時間少，而且能夠節約材料，工作效率大大提高，能取得更好的制樣效果，應用越來越廣泛。本文對其在金相檢驗中的應用進行了簡要分析。

　　關鍵詞：管理科學,不銹鋼金相檢驗,電解制樣,應用分析

　　引言

　　金相指的是金屬內部結構的物理或化學狀態，反映金相的具體形態叫做金相組織，主要包括馬氏體、鐵素體、奧氏體等。在制備金相試樣時，主要采取的方法有手工法、機械法以及電解法等。人工法現在已很少用，機械法因為需要進行拋光，往往會在磨光面上出現一些雜質，而且需要多次拋光，浪費大量時間。電解法是當前較為常見的一種制樣方法，在有色金屬及耐熱不銹鋼等制樣中較為適用，在較短的時間內就能完成制樣工作，減輕了勞動量，提高了工作效率，值得推廣應用。

　　電子與封裝最新期刊目錄

基于FPGA的CAN＿FD控制器的設計與驗證————作者：羅旸;何志豪;

摘要：CAN＿FD總線協議作為新一代汽車總線網絡的核心通信技術，在提升傳輸速率和擴展數據場長度方面展現出顯著優勢。然而，現有CAN＿FD控制器普遍采用封閉式IP核實現，協議棧不可見，嚴重制約了網絡系統的自主可控性。針對這一問題，本研究提出了一種基于FPGA實現的CAN＿FD控制器設計方案。該設計為兼容CAN標準，新增多項式循環冗余校驗設計CRC17和CRC21校驗算法，為數據傳輸的準確性添加了雙重保險。...

集成電路SiP封裝器件熱應力仿真方法研究————作者：吳松;王超;秦智晗;陳桃桃;

摘要：近年來微系統SiP封裝技術從微器件的設想到落地，逐步實現了工藝技術上的改進，直至今日滲透到信息、航天、船舶、醫學等多個領域，其發展趨勢已經勢不可擋。但是對于微系統SiP封裝器件，熱應力導致的熱失配是最重要的失效原因之一。想要分析器件的熱適配問題，實驗成本太高，基于有限元的數值仿真技術不僅可以滿足準確度要求，并且節省時間、資源等成本，但是國內外針對微系統SiP封裝器件的熱應力數值仿真方法并沒有進行系...

玻璃通孔技術的射頻集成應用研究進展————作者：喻甜;陳新;林景裕;鐘毅;梁峻閣;顧曉峰;于大全;

摘要：隨著射頻系統向高頻化、集成化發展，玻璃通孔（TGV）技術憑借玻璃基板的低介電損耗和高熱導率，成為突破傳統基板限制的核心方案。本文系統綜述TGV技術的制造工藝、射頻器件集成創新及其在5G/6G通信與毫米波系統中的應用進展。在射頻器件領域，TGV通過三維互連顯著提升集總電感電容等無源器件的性能密度，并支撐濾波器設計實現低插損和小型化。天線應用中，TGV多層堆疊技術推動封裝天線（AiP）向毫米波頻段拓展...

系統級封裝模組高可靠封焊技術研究————作者：成嘉恩;姬峰;張鵬哲;蘭元飛;何欽江;蘭夢偉;王明偉;

摘要：隨著射頻組件工作頻段不斷提高、裝配空間不斷壓縮，傳統基于二維多芯片組件工藝的射頻組件已無法滿足產品高性能、小型化、輕量化的需求。系統級封裝工藝將三維芯片疊層結構封裝至具有高布線密度的金屬陶瓷管殼結構中，通過焊錫球實現垂直方向的低損耗射頻互連，能夠極大提高產品集成度與性能。本文從封焊過程中的工裝設計、焊料設計以及焊接參數設計等多個維度開展研究，探究最優工藝路線，最終實現了密封漏率≤3×10^...

SiC MOSFET的單粒子漏電退化研究————作者：徐倩;馬瑤;黃文德;楊諾雅;王鍵;龔敏;李蕓;黃銘敏;楊治美;

摘要：研究了重離子輻照下SiC MOSFET器件單粒子漏電退化規律。通過重離子在線輻照實驗，分析了SiC MOSFET單粒子漏電的特性，并探討了潛在損傷對其柵可靠性的影響。使用激光束電阻異常偵測（OBIRCH）、聚焦離子束（FIB）和透射電鏡（TEM）等檢測手段，對單粒子潛在損傷器件的內部結構變化進行了表征。結合宏觀電學特性與微觀結構變化，揭示了SiC MOSFET器件單粒子漏電退化的機制。研究結果為提...

Sb微粒對SAC305錫膏焊接接頭性能的影響————作者：林欽耀;汪松英;曾世堂;

摘要：針對SAC305錫膏焊接接頭在苛刻的高溫環境中可靠性不足問題，本研究通過機械混合方式向SAC305錫膏添加Sb粉微粒制備復合錫膏SAC305-xSb( x = 0%，2%，6%，10%，20%)，研究Sb粉微粒添加含量對SAC305錫膏的潤濕性、熔化特性、焊點耐溫性、焊接接頭的空洞率以及微觀組織和力學性能的影響。結果表明：復合錫膏的潤濕性和焊接空洞率隨著Sb粉含量增加而下降、熔化特性和焊點耐溫性隨...

窄間距多芯片自動共晶焊接工藝研究————作者：賈海斌;趙彬彬;高婷;

摘要：共晶焊接是電子封裝領域一種重要的芯片鍵合工藝，典型共晶焊接工藝包括真空共晶焊接和摩擦共晶焊接兩種。與真空共晶焊接工藝相比，摩擦共晶焊接工藝具有操作簡單、靈活性高等優勢，并且已經實現自動化。隨著產品集成度提升，多芯片共晶設計得到普遍應用，與傳統單芯片共晶相比，多芯片共晶對工藝要求更高。本文針對某窄間距多芯片共晶封裝結構，基于自動摩擦共晶焊接工藝，從吸嘴設計、焊片尺寸控制、焊接參數設置等方面開展研究，...

先進封裝驅動下的片上互連技術發展態勢研究————作者：王翰華;崔忠杰;

摘要：隨著登納德縮放定律的失效以及“摩爾定律”的減緩，芯片性能的提升越來越依賴于多核架構。片上互連技術已經成為決定處理器性能的關鍵因素。片上網絡技術和先進封裝技術為處理器核心數量的規模化增長提供了必要的前提條件。然而，受先進封裝技術的驅動，片上互連的拓撲結構正經歷從二維向三維的轉變，這一變化導致互連結構復雜度提升，互連場景也日趨多樣化。傳統的基于電信號的有線互連技術已經顯示出其局限性，而光互連和無線互連...

臨時鍵合工藝中晶圓翹曲研究————作者：李碩;柳博;葉振文;方上聲;陳偉;黃明起;

摘要：在先進封裝領域，包括晶圓減薄、圓片級封裝、三維封裝、晶圓背面加工以及多芯片封裝體的晶圓重構等關鍵工藝中，臨時鍵合技術發揮著至關重要的作用。針對該技術在異質熱壓鍵合引發的翹曲進行了深入分析，并提出了解決方案，包括襯底和臨時鍵合膠的優選、旋涂工藝的優化以及鍵合參數的調整，以滿足先進封裝對低翹曲臨時鍵合工藝的需求

一種智能檢測儀表的設計與實現————作者：陳濤;武明月;位門;周揚;

摘要：針對傳統檢測儀表功能單一、人機交互體驗差等缺點，提出了一種智能檢測儀表的設計方法，該儀表支持56路信號同步采集，采樣通道數量比傳統儀表多20倍以上，配備10.1寸電容觸摸顯示屏，通過Qt軟件設計各種圖形界面，用戶可以通過觸控按鍵切換顯示方式，既可以實時顯示采集的數據數值，也可以將采集數據轉化為直觀的告警信息，儀表還支持通過以太網將數據上傳至服務器端，避免了人工記錄數據的繁瑣操作，同時為儀表的迭代升...

隨機振動下QFP封裝加固方式的可靠性研究————作者：郭智鵬;李佳聰;張少華;何文多;

摘要：針對QFP封裝在隨機振動環境中的可靠性問題，對底部填充、四角加固、底部填充結合四角加固三種加固方式進行有限元分析，結合引腳的S-N疲勞曲線計算隨機振動壽命預測，分析了不同加固方式對封裝器件引腳的應力分布及失效規律。研究表明：底部填充、底部填充結合四角加固兩種方式器件邊角位置引腳的一次成型處最容易失效，四角加固器件中間位置引腳的一次成型處應力集中顯著；器件不加固，四角加固、底部填充、底部填充結合四角...

基于SiP應用的多層有機復合基板的三維堆疊————作者：姚劍平;李慶東;管慧娟;楊先國;茍明藝;

摘要：為使射頻微波產品進一步實現小型化、通用化和系列化的設計、生產和應用，提出了一種基于多層有機復合基板的三維堆疊集成封裝設計方法和工藝實現方法，并將其應用到了一款變頻系統級封裝（SiP）組件中。相較于二維高密度集成，基于多層有機復合基板的三維堆疊集成封裝加強了垂直方向的空間利用率，能夠進一步實現射頻產品的小型化。多層有機復合基板三維堆疊模型的仿真和實測結果表明，此結構模型可以滿足寬頻帶射頻信號傳輸要求...

玻璃基灌封材料助力SiC功率器件在300℃長期運行————作者：陳俊偉 ;曾惠丹;

摘要：<正>寬禁帶半導體材料優勢顯著，但隨著功率器件小型化、集成化及功率密度提升，熱管理面臨重大挑戰。以環氧塑封料（EMC）和硅凝膠為代表的有機灌封材料將SiC器件結溫限制在200℃以內，亟需更優灌封材料來緩解器件絕緣和散熱壓力，并提升器件可靠性。華東理工大學曾惠丹教授團隊、復旦大學樊嘉杰研究員團隊與北京北旭電子材料有限公司針對寬禁帶功率器件灌封材料高絕緣性與耐高溫的要求，對玻璃基灌封材料展開研究，發現...

功率器件銀電化學遷移分析與改善————作者：邱志述;胡敏;

摘要：銀作為可焊接金屬，與鉛、錫等形成低溫合金可顯著提升工藝適應性，廣泛應用于半導體功率器件領域。芯片金屬與封裝互連中銀電化學遷移常導致器件短路，以致失效。為了減少這類失效，對銀電化學遷移機理進行研究，并從芯片、封裝方面給出改善措施。增加芯片保護層、減少封裝環氧樹脂和芯片的分層可以減少水汽對芯片表面的侵蝕，是改善銀電化學遷移的關鍵

基于AFM-IR的電子銅箔表面痕量有機物的原位檢測與去除————作者：李林玲;王勇;印大維;章晨;滕超;陳葳;江偉;李大雙;鄭小偉;周東山;薛奇;

摘要：高性能電子銅箔是新一代通信技術所用高頻高速PCB板的核心原材料之一，銅電沉積后表面吸附有機添加劑的控制對電子銅箔的性能有重要影響。基于原子力顯微-紅外光譜（AFM-IR）技術極高的檢測靈敏度和空間分辨率，原位檢測到國產銅箔表面殘留的痕量有機雜質為整平劑明膠，并通過銅箔表面化學成像分析，發現這些殘留的整平劑以零星狀吸附于銅瘤頂部和側面的鈍化層之上。在AFM-IR方法的監測下，對二氯甲烷溶劑洗滌去除銅...

軍用DC/DC電源模塊失效分析研究————作者：李鵬;張竹風;王自成;劉紅;趙國發;

摘要：針對某武器系統研制過程中出現的2只DC/DC電源模塊輸出異常問題，通過制定失效分析方案探究其失效機理。對失效模塊進行外觀檢查，各管腳均存在不同程度的絕緣子破裂現象；進行電性能和I-V特性曲線測試，并與合格樣品進行對比，發現2只失效模塊的Pin3與Pin5之間分別存在二極管特性異常和連接性異常現象，初步確定失效部位；通過X射線檢測設備對模塊內部基板和引線架進行檢查，發現1#模塊的2處VDMOS鍵合絲...

一種基于電流偏置的新型上電復位電路設計————作者：許家欣;錢逸;

摘要：隨著數字電路模塊的復雜程度越來越高，上電復位（POR）電路對于在啟動時初始化數字邏輯到已知的狀態至關重要。基于0.18μm工藝設計了一種新型POR電路，該POR電路基于帶啟動電路的電流偏置結構，電源上電更穩定，而且增加了使能端，使電路可用于低功耗場景，此外，電流鏡技術和分壓電阻的運用，不僅使電源閾值調節簡單，還增加了遲滯，降低了輸出回路的電源噪聲

一種應用于電流舵DAC的熔絲校準方法————作者：何光旭;袁何龍;王佳琪;

摘要：為解決電流舵DAC中的電流源失配問題，提出了一種熔絲校準方法，通過靜態校準技術來修正工藝偏差帶來的電流源失配，其核心是熔絲預編程架構，允許對多個獨立的熔絲校正單元執行多次預寫迭代燒錄，從而微調電流輸出，直至通過實際測試驗證滿足既定性能標準，最終執行永久燒錄。設計的電路基于0.18μm CMOS工藝流片，測試結果表明，電路的DNL從校準前的-0.1～0.299 LSB降到校準后的-0.05～0.19...

一種基于SW831的高速存儲數據管理方法————作者：黃輝;吳曉慶;

摘要：隨著信息技術的發展，數據存儲對帶寬和容量的要求越來越高。針對此需求，設計了一種基于SW831處理器+FPGA+非易失性存儲器快速通道（NVME）的存儲系統。系統前端使用FPGA采集數據，為了保證數據不丟失，FPGA先將數據緩存到內存，由于緩存空間有限，需要及時地將緩存數據寫入到存儲盤中。基于此目的，提出了一種基于SW831處理器的數據管理方法，通過無容錯的條帶化磁盤陣列（RAID0）方式管理NVM...

一款汽車電子用MCU失效分析與對策————作者：王彬;趙志林;郭晶;

摘要：某車載電動尾門系統運行過程中，控制器直流電機運動時線纜產生的電磁輻射干擾到MCU芯片時鐘路徑，進一步引發內核Hardfault總線錯誤，導致運行故障，尾門無法到達指定位置。以MCU內核Hardfault異常為頂層事件建立故障樹進行失效分析，成功定位了干擾源為直流電機線纜，干擾傳播路徑為空間輻射，干擾對象為MCU時鐘路徑，并通過故障場景復現驗證了分析結果的正確性。最后從軟、硬件角度提出了整改方法，對...

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