《微細(xì)加工技術(shù)》核心期刊代發(fā)，創(chuàng)刊于1983年，是國(guó)家科委和國(guó)家新聞出版署批準(zhǔn)，國(guó)內(nèi)外公開(kāi)發(fā)行的中央級(jí)重要科技期刊。是國(guó)家一級(jí)檢索刊物，已連續(xù)9年被美國(guó)工程信息公司Ei數(shù)據(jù)庫(kù)收錄，是《中國(guó)期刊網(wǎng)》、《中國(guó)學(xué)術(shù)期刊(光盤(pán)版)》、《中國(guó)學(xué)術(shù)期刊綜合評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)庫(kù)》全文收錄用刊，是《中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(kù)》來(lái)源期刊。

　　期刊欄目：

　　綜述、電子束技術(shù)、離子束技術(shù)、光子束技術(shù)、薄膜技術(shù)、微機(jī)械加工技術(shù)、納米技術(shù)

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　　《世界產(chǎn)品與技術(shù)》科技雜志，產(chǎn)品信息刊物。報(bào)道世界的產(chǎn)品和技術(shù)新信息，為產(chǎn)業(yè)界、技術(shù)界服務(wù)。堅(jiān)持為社會(huì)主義服務(wù)的方向，堅(jiān)持以馬克思列寧主義、毛澤東思想和鄧小平理論為指導(dǎo)，貫徹“百花齊放、百家爭(zhēng)鳴”和“古為今用、洋為中用”的方針，堅(jiān)持實(shí)事求是、理論與實(shí)際相結(jié)合的嚴(yán)謹(jǐn)學(xué)風(fēng)，傳播先進(jìn)的科學(xué)文化知識(shí)，弘揚(yáng)民族優(yōu)秀科學(xué)文化，促進(jìn)國(guó)際科學(xué)文化交流，探索防災(zāi)科技教育、教學(xué)及管理諸方面的規(guī)律，活躍教學(xué)與科研的學(xué)術(shù)風(fēng)氣，為教學(xué)與科研服務(wù)。

　　微細(xì)加工技術(shù)最新期刊目錄

用于非球面測(cè)試的位相型計(jì)算全息圖制作————作者：馬杰;朱效立;謝常青;葉甜春;趙珉;劉明;陳寶欽;朱日宏;高志山;馬駿;

摘要：本文對(duì)計(jì)算全息圖元件的設(shè)計(jì)和制作關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了研究,自行開(kāi)發(fā)了計(jì)算全息圖元件光刻圖形計(jì)算機(jī)生成算法和軟件,研究了采用高速電子束直寫(xiě)系統(tǒng)制作大面積、非周期性復(fù)雜光刻圖形技術(shù),在此工作的基礎(chǔ)上,采用濕法腐蝕鉻、感應(yīng)耦合等離子體刻蝕石英玻璃兩步圖形轉(zhuǎn)移的方案,制作出了圖形區(qū)直徑為64 mm、最外環(huán)線條寬度為2.0μm、刻蝕深度為690 nm的位相型計(jì)算全息圖元件,并對(duì)加工結(jié)果進(jìn)行了測(cè)量。結(jié)果表明,本方案...

射頻磁控共濺射高溫NH₃退火制備CuO/SiO₂復(fù)合薄膜的微觀結(jié)構(gòu)————作者：石鋒;李玉國(guó);孫欽軍;

摘要：采用射頻磁控共濺射法在硅襯底上沉積Cu/SiO2復(fù)合薄膜,然后在NH3保護(hù)下高溫退火,再于空氣中自然冷卻氧化,形成CuO結(jié)構(gòu),對(duì)其微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析。隨著退火溫度的升高,CuO由單斜晶相逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎骄��?CuO薄膜結(jié)晶質(zhì)量提高。樣品于900℃和1 100℃退火后,形成有序散落的微米級(jí)顆粒,前者由粒狀團(tuán)簇組成,顆粒表面比較粗糙,后者由片融狀小顆粒融合而成,顆粒表面比較光滑

高析氫活性Ni-Mo-Zn合金電極的制備與表征————作者：朱波;劉貴昌;施志聰;王華;劉偉;

摘要：采用兩步電沉積方法在堿性檸檬酸鹽-氨水絡(luò)合體系中制備了含有Ni-Mo中間層的Ni-Mo-Zn電極,通過(guò)在熱堿溶液中浸泡除去部分Zn后得到高析氫活性電極。SEM測(cè)試發(fā)現(xiàn),該電極的合金鍍層表面有多層結(jié)構(gòu)和二級(jí)顆粒,它們經(jīng)熱堿溶液浸泡后會(huì)形成大顆粒包裹小顆粒(粒徑小于1μm)的類似"藤壺"狀表面形貌。通過(guò)穩(wěn)態(tài)陰極極化曲線考察了不同電極的催化析氫性能,發(fā)現(xiàn)含有Ni-Mo中間鍍層的Ni-Mo-Zn電極在堿洗...

陶瓷釉用TiO₂光催化劑的制備研究————作者：陳前林;吳建青;王龍現(xiàn);

摘要：制備了SiO2-TiO2和SiO2-ZrO2-TiO2復(fù)合光催化劑,并將其加入到陶瓷釉料中,結(jié)果表明,SiO2-TiO2,SiO2-ZrO2-TiO2復(fù)合粉體經(jīng)1 323 K煅燒后仍具有較好的光催化活性;但用SiO2改性的TiO2粉體添加到陶瓷釉料中,經(jīng)1 323 K煅燒后,由于釉料中堿金屬及堿土金屬等離子的侵蝕,TiO2全部轉(zhuǎn)變?yōu)榻鸺t石相,所制得的陶瓷釉料不具有光催化活性;而采用ZrO2-SiO...

共縮聚法制備功能化P(St-MPS)/MCM-41核殼復(fù)合微球————作者：趙彥生;陳凱;劉永梅;劉成岑;張向英;申迎華;

摘要：以聚(苯乙烯-γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷)(P(St-MPS))微球?yàn)楹四０?十六烷基三甲基溴化銨為殼模版,以P(St-MPS)微球、正硅酸乙酯與MPS的混合物為硅源,直接在無(wú)皂乳液中通過(guò)共縮聚方法合成表面鏈有碳—碳雙鍵功能基的P(St-MPS)/MCM-41核殼復(fù)合微球;采用TEM,XRD和FT-IR對(duì)產(chǎn)物進(jìn)行了表征。結(jié)果表明,表面功能化的P(St-MPS)/MCM-41核殼復(fù)合微球可以...

Zn²⁺和PO₄^3-復(fù)合摻雜α-Ni（OH）₂的結(jié)構(gòu)及電化學(xué)性能————作者：劉長(zhǎng)久;黃良花;趙衛(wèi)民;邢春曉;劉愛(ài)芳;

摘要：采用化學(xué)反應(yīng)共沉淀法制備出Zn2+和PO43-陰陽(yáng)離子復(fù)合摻雜的α-Ni(OH)2粉體材料。通過(guò)對(duì)其微結(jié)構(gòu)表征和電化學(xué)性能的測(cè)試分析結(jié)果表明,隨著陽(yáng)離子Zn2+含量相對(duì)增加,陰離子PO43-含量相對(duì)減少,晶胞參數(shù)a和c逐漸增大,當(dāng)把摻入Zn2+,PO43-的摩爾百分比為23.4%,5.21%時(shí)的α-Ni(OH)2樣品作為MH-Ni電池的正極活性材料時(shí),電化學(xué)阻抗和擴(kuò)散電阻較小,電池在以80 mA/...

微氣泡在矩形鉑膜加熱器上的控制性生長(zhǎng)及振動(dòng)————作者：李倩;劉國(guó)華;徐進(jìn)良;張偉;

摘要：采用標(biāo)準(zhǔn)MEMS加工工藝,設(shè)計(jì)出了5個(gè)50μm×20μm的串聯(lián)鉑膜微加熱器并將其置于并聯(lián)流動(dòng)微通道內(nèi);在脈沖加熱下觀察鉑膜上氣泡的生長(zhǎng)行為,實(shí)驗(yàn)研究了主流過(guò)冷度、流速以及鉑膜功率等因素對(duì)氣泡生長(zhǎng)的影響;結(jié)果表明,氣泡的生長(zhǎng)延遲間差隨著主流過(guò)冷度和流速的增大而增大,隨著鉑膜功率的提高而縮短;高功率小流速時(shí),氣泡直徑較大,但流速的提高會(huì)使氣泡脫離直徑變大;氣泡生長(zhǎng)的同時(shí)伴隨著縱向和橫向跳躍:前者與流速...

鋰離子電池正極材料LiNi_0.4Co_0.2Mn_0.4O₂的合成及電化學(xué)性能————作者：鐘勝奎;劉樂(lè)通;劉潔群;姜吉瓊;王健;李陽(yáng);鄭少英;

摘要：采用碳酸鹽共沉淀法合成了Ni0.4Co0.2Mn0.4CO3前驅(qū)體,然后以Ni0.4Co0.2Mn0.4CO3和Li OH為原料,合成出了層狀鋰離子電池正極材料Li Ni0.4Co0.2Mn0.4O2。通過(guò)XRD,SEM和電化學(xué)測(cè)試對(duì)Li Ni0.4Co0.2Mn0.4O2材料的結(jié)構(gòu)、形貌及電化學(xué)性能進(jìn)行了測(cè)試和表征。結(jié)果表明,800℃下燒結(jié)12 h所得到的樣品,以0.2 C放電,其首次放電容量1...

染料敏化太陽(yáng)能電池改性PEDOT:PSS對(duì)電極的制備————作者：鞏翠翠;胡志強(qiáng);蘇巖;李璞;周紅茹;康姣;

摘要：通過(guò)滾涂法制備了一種摻雜二甲基亞砜(DMSO)和炭黑的改性PEDOT∶PSS新型對(duì)電極。固定炭黑的加入量,調(diào)節(jié)PEDOT∶PSS與DMSO的比例,用滾涂法制備了不同的薄膜對(duì)電極。通過(guò)四探針測(cè)試儀、掃描電鏡、太陽(yáng)電池測(cè)試儀,分別測(cè)試了薄膜對(duì)電極的方塊電阻、表面形貌及其光電性能。結(jié)果表明,當(dāng)PEDOT∶PSS溶液與DM-SO的質(zhì)量比為4.5∶1時(shí),制備的對(duì)電極組裝的電池性能最佳,短路電流密度為2.12...

碳納米管場(chǎng)電子發(fā)射性能不穩(wěn)定性的分析————作者：王必本;王峰瀛;黨純;

摘要：利用等離子體增強(qiáng)熱絲化學(xué)氣相沉積制備了多壁碳納米管,并測(cè)試了它的場(chǎng)電子發(fā)射性能,發(fā)現(xiàn)碳納米管的場(chǎng)電子發(fā)射性能在測(cè)量過(guò)程中發(fā)生了變化。利用X射線能譜儀對(duì)碳納米管進(jìn)行了表征,結(jié)果表明氧吸附在碳納米管上。氧的吸附導(dǎo)致了碳納米管的功函數(shù)發(fā)生了變化,造成碳納米管場(chǎng)電子發(fā)射性能不穩(wěn)定。同時(shí),本工作還分析了氫的吸附可能對(duì)碳納米管場(chǎng)電子性能的影響。因此,本工作對(duì)碳納米管在微電子領(lǐng)域的應(yīng)用有一定的意義

X射線光刻和剝離技術(shù)制作聲表面波叉指換能器————作者：李晶晶;趙以貴;賈銳;李冬梅;牛潔斌;柯導(dǎo)明;陳軍寧;

摘要：提供了采用電子束光刻、X射線光刻和金屬剝離技術(shù)制作亞微米尺寸的聲表面波叉指換能器的方法。首先利用電子束光刻和微電鍍技術(shù)制作X射線光刻的掩模,然后利用X射線光刻和剝離技術(shù)高效地制作大面積、納米尺電、電極陡直均勻的叉指換能器。制備出的叉指電極特征尺寸為600 nm,面積為4 mm×6 mm,斷指率小于3‰,可應(yīng)用于高頻聲表面波器件中。研究結(jié)果表明,X射線光刻結(jié)合剝離技術(shù)是一種制備高頻SAW器件的優(yōu)良方...

高高寬比硬X射線聚焦波帶片的制作————作者：吳璇;陳軍寧;朱效立;牛潔斌;李亞文;胡松;謝常青;

摘要：相對(duì)于軟X射線顯微成像,硬X射線顯微成像對(duì)菲涅爾波帶片的吸收體厚度提出了更高的要求。采用電子束光刻和X射線光刻復(fù)制的方法,在聚酰亞胺薄膜上成功制作了高高寬比的菲涅爾波帶片。首先利用電子束光刻和微電鍍技術(shù)制作了X射線光刻的掩模,然后利用X射線光刻和微電鍍制作了高高寬比、線條側(cè)壁陡直的菲涅爾波帶片。復(fù)制后的波帶片最外環(huán)寬度500 nm,直徑1 mm,吸收體金厚度為3.6μm,高寬比達(dá)到7.2,可用于1...

Fe-ZnSe納米復(fù)合顆粒膜的制備和磁電阻效應(yīng)————作者：張林;張昌文;王永娟;

摘要：采用射頻濺射法制備了"納米鐵磁金屬顆粒-半導(dǎo)體基體"Fe-ZnSe復(fù)合顆粒膜,研究了顆粒膜的結(jié)構(gòu)、磁性和磁電阻效應(yīng)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在室溫下Fe-ZnSe復(fù)合顆粒膜中納米Fe顆粒表現(xiàn)出超順磁性,顆粒膜的磁電阻變化率Δρ/ρ0數(shù)值達(dá)到4.6%;顆粒膜的磁電阻變化率Δρ/ρ0隨溫度的變化關(guān)系表明Δρ/ρ0數(shù)值隨溫度的下降而增大

Cu摻雜濃度對(duì)ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)、透光性和電學(xué)性質(zhì)的影響————作者：徐慶巖;吳雪梅;諸葛蘭劍;陳學(xué)梅;吳兆豐;

摘要：采用射頻磁控濺射方法在導(dǎo)電玻璃和石英襯底上制備了未摻雜和不同Cu摻雜量的ZnO薄膜。XRD顯示,適當(dāng)?shù)腃u摻雜增強(qiáng)了ZnO的(002)衍射峰的強(qiáng)度;用紫外分光光度計(jì)測(cè)量了樣品的透光性,結(jié)果顯示,隨摻雜量的增加,其透光性減弱,但在Cu摻雜量為9.6%時(shí)其透光性還在60%以上。用四探針測(cè)量了樣品的表面電阻率,薄膜的電阻率隨Cu摻雜量的增加而增加

低相位噪聲毫米波平面振蕩器研究————作者：程知群;周云芳;張勝;

摘要：設(shè)計(jì)了一種低相位噪聲毫米波平面振蕩器電路,采用在振蕩器諧振端嵌入缺陷接地結(jié)構(gòu)（DGS）方法來(lái)改善振蕩器的相位噪聲;同時(shí)在振蕩器混合集成中采用了芯片倒扣技術(shù)減小寄生效應(yīng)。分析并比較了嵌入和未嵌入DGS結(jié)構(gòu)兩種振蕩器電路的性能。測(cè)試結(jié)果表明,嵌入DGS結(jié)構(gòu)的振蕩器相位噪聲比未嵌入的降低了5 dB⁷ dB

MOCVD側(cè)向外延生長(zhǎng)GaN的研究————作者：朱麗虹;李曉瑩;劉寶林;

摘要：在低壓金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(LP-MOCVD)系統(tǒng)中利用側(cè)向外延生長(zhǎng)(epitaxial lateral overgrowth,ELO)技術(shù)進(jìn)行了二次外延GaN的研究。SEM觀察結(jié)果表明,翼區(qū)和窗口區(qū)寬度比值不同的圖形襯底,側(cè)向和縱向的生長(zhǎng)速率不同;其AFM表面形貌圖像表明,長(zhǎng)平的ELO-GaN表面平整,位錯(cuò)密度較低。ELO-GaN的光致發(fā)光(PL)譜的帶邊峰比傳統(tǒng)方法生長(zhǎng)的GaN的帶邊峰紅移了1...

大角度離子注入機(jī)控制系統(tǒng)軟件設(shè)計(jì)————作者：伍三忠;吳學(xué)忠;

摘要：介紹了大角度離子注入機(jī)控制系統(tǒng)軟件的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn),重點(diǎn)介紹了控制系統(tǒng)的總體設(shè)計(jì)和系統(tǒng)軟件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、軟件的具體實(shí)施和系統(tǒng)軟件主要模塊的功能

聚合物Parylene C薄膜的反應(yīng)離子刻蝕研究————作者：王亞軍;劉景全;沈修成;楊春生;郭中元;芮岳峰;

摘要：首先簡(jiǎn)要介紹了聚合物Parylene,并以Parylene C薄膜為原料,進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕,著重研究了功率和工作氣壓對(duì)刻蝕速率的影響,并給出了優(yōu)化的刻蝕工藝參數(shù)。結(jié)果表明,刻蝕速率隨功率增加而增大,當(dāng)功率為80 W時(shí),刻蝕速率達(dá)到0.44μm/min,適當(dāng)增大功率有利于各向異性刻蝕。刻蝕速率在一定范圍內(nèi)隨氣壓增大而增大,工作壓力為10.67 Pa時(shí),刻蝕速率達(dá)到0.47μm/min;當(dāng)氣壓超過(guò)10...

SOI微加速度傳感器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與工藝實(shí)現(xiàn)————作者：徐春曉;房立清;周新偉;

摘要：設(shè)計(jì)了一種基于SOI技術(shù)的壓阻式抗沖擊微加速度計(jì),解決了電阻在高溫時(shí)產(chǎn)生漏電流問(wèn)題,有效擴(kuò)展了其溫度應(yīng)用范圍。設(shè)計(jì)方案合理應(yīng)用光刻I、CP刻蝕等先進(jìn)技術(shù)使其工藝得到實(shí)現(xiàn)。研究為下步耐高溫壓阻式傳感器的制作提供了依據(jù)

反磁懸浮渦流旋轉(zhuǎn)微陀螺的定子研究————作者：劉凱;張衛(wèi)平;陳文元;劉武;李凱;戴福彥;

摘要：介紹的一種反磁懸浮渦流旋轉(zhuǎn)微陀螺的定子研究。利用現(xiàn)有實(shí)驗(yàn)設(shè)備,通過(guò)多次實(shí)驗(yàn)摸索,找到了一條實(shí)現(xiàn)反磁懸浮渦流旋轉(zhuǎn)微陀螺下定子合理的工藝路徑,并進(jìn)行了測(cè)試,測(cè)試顯示定子結(jié)構(gòu)完整正常

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