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微納電子技術

所屬欄目:電子信息期刊 熱度: 時間:

微納電子技術

《微納電子技術》

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期刊周期:月刊
期刊級別:北大核心
國內統一刊號:13-1314/TN
國際標準刊號:1671-4776
主辦單位:中國電子科技集團公司第十三研究所
主管單位:中華人民共和國信息產業部
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上一本期雜志:《計算機應用》計算機期刊論文發表
下一本期雜志:《激光與光電子學進展》工程師職稱論文

  【雜志簡介】

  《微電子技術》以促進我國納米電子技術不斷發展為辦刊目的。 創刊4年以來,匯集了納米電子、機械、材料、制造、測量以及物理、化學和生物等不同學科新生長出來的微小和微觀領域的科學技術群體,通過報道國內外納米電子技術方面的研究論文和綜述動態,為納米研究領域的技術人員提供納米技術領域新的突破方法和新的研究方向,為納米技術領域中從事原始創新和基礎探索的科研工作者、大學教師和學生提供了一個納米電子技術成果展示、轉化和技術交流的平臺。

  【收錄情況】

  國家新聞出版總署收錄 獲獎情況

  2002-2003和2003-2004年度,均獲信息產業部電子科技期刊編輯質量優秀獎

  2005-2006年度獲信息產業部電子科技期刊學術技術水平優秀獎

  中國學術期刊執行(光盤版)檢索與評價數據規范優秀期刊

  2007-2008年度又榮獲工業和信息化部電子科技期刊學術技術水平優秀獎。

  俄羅斯《AJ》收錄

  英國《SA》,INSPEC數據庫收錄

  美國《劍橋科學文摘》收錄

  【欄目設置】

  主要欄目:專家論談、納米器件與技術、納米材料與納料結構、MEMS器件與技術、顯微、測量、微細加工技術與設備、企業與人物追蹤、業界快訊等。

  雜志優秀目錄參考:

  1 Ⅲ-Ⅴ多結太陽電池隧道結模型的研究進展 陳帥;楊瑞霞;吳亞美; 545-553

  2 PMMA柵絕緣層表面形貌對并五苯OTFT性能的影響 李雪飛;王偉;王帥;石曉東; 554-558+580

  3 金納米棒復合結構中的雙重法諾共振效應 齊信;黃運歡;薛保平; 559-564

  4 組合式MEMS三維矢量水聲傳感器 郭楠;張國軍;劉夢然;簡澤明;張文棟; 565-569+596

  5 基于PNP模型微通道內冪律流體電滲流數值模擬 申力;李鳴;楊大勇; 570-575

  6 基于流動聚焦結構的微液滴形成機理 楊麗;周圍;王學浩;程景萌;王媛媛;張思祥; 576-580

  7 一種高溫壓阻式壓力傳感器的制備與倒裝焊接 李丹丹;梁庭;姚宗;李賽男;熊繼軍; 581-585

  8 基于小波包絡提取法的白光干涉測量系統 簡黎;雷李華;李東升;孫曉光;蔡瀟雨;李源; 586-591+610

  9 堿性銅精拋液中活性劑對平坦化效果的影響 賈少華;劉玉嶺;王辰偉;閆辰奇; 592-596

  10 UV-LIGA技術制備頻率選擇表面的研究 林彬彬;陳迪;林樹靖;謝耀;袁濤;崔大祥; 597-602

  11 阻擋層CMP中螯合劑FA/OII對拋光效果的影響(英文) 榮穎佳;王勝利;劉玉嶺;王辰偉;高嬌嬌;張文倩; 603-610

  12 第11屆國際專用集成電路會議第一次征稿通知 611-612

  通信技術雜志投稿:信息技術在體育教學中的應用

  摘 要:隨著科學技術的迅猛發展,信息技術越來越廣泛地應用于各個領域,怎樣把信息技術與體育課程有效整合,達到課堂教學效果的最優化是每位體育教師所面臨的課題。本文結合自身的實踐,做了有益的嘗試。

  關鍵詞:通信技術雜志,信息技術, 體育

  在新課標下,如何做到將信息技術合理應用到體育教學中,激發學生興趣,開發教學資源,優化教學過程呢?筆者結合個人教學實際,談談自己的看法。

  微納電子技術最新期刊目錄

TiO2摻雜對β″-Al2O3微觀組織及陽極鍵合性能的影響————作者:許兆麒;劉翠榮;陰旭;于秀秀;王強;劉淑文;

摘要:β″-Al2O3是一種常用于陽極鍵合的固體電解質材料,通過摻雜質量分數1.0%TiO2的固相反應法制備β″-Al2O3,改善其微觀結構。對比未摻雜和摻雜TiO2的樣品,通過X射線衍射(XRD)發現TiO2的加入有效抑制了β″-Al2

基于ALD的高深寬比微孔光學元件內壁Al2O3薄膜研究————作者:李明軒;唐吉龍;

摘要:在微納光學以及半導體領域中,高深寬比器件如三維芯片、集成電路、微通道板等十分常見。而由于其本身內部結構的復雜性,在器件內部進行薄膜沉積時,高精度的薄膜生長技術至關重要。主要研究了在高深寬比微孔光學器件中,使用原子層沉積(ALD)技術沉積氧化鋁薄膜。討論了溫度和前驅體暴露量對沉積效率以及沉積結果的影響,并對沉積方案進行優化,最后利用能譜儀對薄膜進行表征,通過對結果的分析可知,微孔內部各處氧化鋁薄膜表...

基于核酸生物傳感器檢測HR-HPV研究進展————作者:師瑤;王發展;韓磊磊;

摘要:宮頸癌是威脅全球婦女健康的第三大常見癌癥,大多數情況下由高危人乳頭瘤病毒(HR-HPV)持續感染引起,HR-HPV感染的復發性較高,準確的篩查對其控制至關重要。常用的聚合酶鏈反應(PCR)技術受到專業設備和人員的限制,無法滿足基層臨床檢測的需求,因此,研發檢測步驟簡單且靈敏度高的方法至關重要。綜述了基于改進PCR、環介導等溫擴增(LAMP)、重組酶聚合酶擴增(RPA)、雜交鏈反應(HCR)、催化發...

應用于熱泵空調系統的MEMS壓力溫度傳感器設計及驗證————作者:許鵬;聶靖宇;王偉忠;李保嶺;

摘要:為了延長電動汽車的續航能力,熱泵空調系統逐漸取代了傳統的正溫度系數(PTC)熱敏電阻空調,應用于熱泵空調系統的壓力溫度傳感器是系統控制的關鍵部件。基于一款可以直接接觸冷媒的微電子機械系統(MEMS)壓阻式壓力芯片,采用無引線倒裝焊封裝工藝,結合模塊化裝配的設計思路,開發了一款應用于汽車空調系統的壓力溫度傳感器,并通過仿真手段證明了傳感器的結構可靠性。通過對傳感器進行測試,傳感器的壓力精度可以達到全...

基于田口方法的CMOS柵極掩膜層清洗工藝優化研究————作者:吳國才;張玉龍;孫瑞;時建成;楊彪;

摘要:返工清洗互補金屬氧化物半導體(CMOS)晶體管柵極上的光刻膠掩膜層,不合理的工藝將會導致柵極膜層電阻的偏高。制備多晶硅/WSi2結構的CMOS柵極膜層,然后對柵極進行光刻圖形化處理并明確光刻膠清洗的機理。通過引入田口方法組合清洗工藝中的變量和分析實驗數據,確定了柵極膜層電阻偏高的主要因素。再結合WSi2的膜厚變化情況,推測引起電阻偏高的主要原因,提出調換...

基于RBF自適應滑模的旋轉式壓電納米探針臺軌跡跟蹤控制————作者:馬詩雨;孟思源;丁戍辰;汝長海;

摘要:隨著微納技術的快速發展,旋轉式壓電納米探針臺在高真空掃描電子顯微鏡(SEM)中的應用需求日益增加。為了解決壓電驅動設備面臨的非線性特性和不確定性干擾,提出一種基于徑向基函數(RBF)神經網絡的自適應滑模控制(RBF-ASMC)方法。通過結合拉格朗日方法和壓電材料的遲滯模型,建立了旋轉式壓電納米探針臺的動力學模型,并采用RBF神經網絡逼近系統未知動態,利用神經網絡自適應律優化控制參數。仿真結果表明,...

金屬氧化物框架復合材料修飾玻碳電極同時測定水中鉛和鎘————作者:蔣紅娟;

摘要:使用ZIF-8與金屬鉍合成復合材料,與羧基化多壁碳納米管(CMWCNT)對玻璃碳電極(GCE)進行修飾得到Bi@ZIF-8/CMWCNT/GCE電化學傳感器。由于ZIF-8的多孔性和大比表面積、鉍對Pb2+和Cd2+的吸附性以及羧基多壁碳納米管的導電性,使傳感器具有同時檢測水中Pb2+和Cd2+的能力。最優條件...

導電膠粘接片式元件接觸電阻可靠性研究————作者:史海林;劉家龍;弓明杰;王攀;盧朝陽;關超;

摘要:為驗證導電膠粘接片式元件接觸電阻可靠性,制備自動粘接和人工粘接樣品,以高溫老化、環境試驗、機械試驗作為考核條件,研究了導電膠粘接片式元件接觸電阻可靠性。研究結果表明,采用自動粘接工藝的導電膠接觸電阻在考核前后的一致性優于人工粘接工藝。經過168 h/125℃和1 000 h/125℃老化后,自動粘接與人工粘接工藝的導電膠接觸電阻分別增加約5%和20%;經過環境試驗及機械試驗后,自動粘接工藝導電膠接...

雙通道協同解耦SAW應變傳感器的結構設計與制造————作者:鄭引榮;梁曉瑞;譚秋林;

摘要:為滿足發動機、燃氣輪機等高溫高旋環境下關鍵部件的健康監測需求,基于硅酸鎵鑭(LGS)基底創新性地提出了一種雙通道協同解耦的高溫穩定型聲表面波(SAW)應變傳感結構。該傳感系統采用獨特的90°空間正交布局設計,由兩個高性能諧振器構成傳感單元對,通過高溫穩定的鉑漿料和鉑絲引線實現傳感元件在800℃極端環境下的可靠互連。通過優化設計雙通道協同解耦算法,可有效消除溫度引起的干擾,在25~800℃的寬溫域范...

激光退火作用對Ni-SiC歐姆接觸形成的影響機制研究————作者:陳絲雨;陳冬冬;王曉峰;潘嶺峰;黃永忠;

摘要:與傳統的快速熱退火(RTA)相比,激光退火(LA)具有作用時間極短及范圍可控等優勢,并可通過調節激光參數,實現可控的退火效果。采用不同波長、脈寬和能量密度的激光束對Ni-SiC樣品進行退火處理,探討了在歐姆接觸形成過程中,這些參數對方塊電阻-能量密度(Rs-ED)曲線、樣品形貌以及表面粗糙度的影響,分析了歐姆接觸形成的機理。研究發現,金屬Ni對351nm波長激光的吸收率高于對...

面向膠囊機器人的Huber加權抗干擾磁定位方法————作者:林宇飛;蘇詩薦;戴厚德;

摘要:膠囊機器人因其無創、無痛等特點在胃腸道疾病診療中展現出廣闊的應用前景,基于永磁場的定位技術憑借其高精度與適應性,在膠囊的體內定位應用中備受關注。然而,復雜手術環境中普遍存在的鐵磁物質及外來磁源,會引發硬鐵、軟鐵效應,嚴重影響定位精度。為此,提出了一種融合Huber加權算法與動態初值策略的磁定位方法。首先,通過Huber核函數對可能受干擾的傳感器測量值進行差異化處理,削減異常測量數據的權重;其次,通...

封裝基板關鍵技術進展及展望————作者:楊宏強;方建敏;李光耀;

摘要:封裝基板是半導體封裝過程中廣泛使用的基礎材料之一。首先闡述了基板的起源、種類(單塊和單元基板)、應用和組成;之后從先進基板制造工藝角度,詳細分析了線路圖形工藝(減成法、改進半加成法和半加成法)、芯板結構(有芯、無芯)、內置元器件(有源、無源)以及最近興起的玻璃芯基板、多層布線芯板基板的應用場景、制作方法和工藝能力;最后從基板類型和應用角度,展望了先進基板關鍵技術的未來趨勢

一種高穩定性帶過流保護的LDO電路設計————作者:韓富璇;何慶國;王鑫;馬琳;

摘要:采用0.25μm CMOS工藝設計了一種高穩定性帶過流保護功能的低壓差線性穩壓器(LDO)。該LDO包括帶隙基準電路、誤差放大器、過流保護電路等。過流保護電路可以在LDO負載超過設定值時關閉LDO電路。誤差放大器主環路采用負載電容等效串聯電阻(ESR)和密勒電容倍增補償進行頻率補償,保證全負載條件下電路的穩定性。仿真結果表明,設計的LDO實現了7~15 V的輸入電壓范圍,輸出電壓典型值為5 V,帶...

Ka波段小型化多通道新型封裝天線設計————作者:楊兆龍;劉林杰;喬志壯;

摘要:封裝天線(AiP)是一種能夠實現低成本制備、高性能以及小體積天線的技術,在移動通信等領域有著廣泛的應用。目前以高溫共燒陶瓷(HTCC)作為封裝材料的AiP大多屬于多層結構,通過犧牲天線尺寸來實現寬帶和高增益特性,結構復雜,集成度較低。提出了一種新型的小型化封裝天線結構。以HTCC作為介質基板材料,通過將傳統Vivaldi天線和微帶八木天線相結合,在保證天線有足夠增益的前提下有效減小了天線尺寸。設計...

人工智能大語言模型和AI芯片的新進展(續)————作者:趙正平;

摘要:以ChatGPT為代表的大語言模型的發展標志人工智能(AI)進入“通用人工智能”發展的新時代。綜述了通用人工智能“大數據、小任務”專用人工智能發展階段的兩大熱點:人工智能大語言模型和AI芯片的最新進展和發展趨勢。在人工智能大語言模型領域,綜述并分析了其發展由來和發展現狀,包括專家系統和聊天機器人兩條技術路線的發展歷程,OpenAI的ChatGPT領跑大模型的發展現狀,以及對大模型的綜述、深化、改進...

面向CMUT的驅動電路設計和激勵信號優化————作者:孫帥文;何常德;吳帥琦;張文棟;張國軍;楊玉華;王任鑫;

摘要:電容式微機械超聲換能器(CMUT)具有微型化、易與電子產品集成、與人體組織阻抗匹配良好、機電轉換效率高、靈敏度高、頻帶寬和成本低等優點。CMUT在醫學成像、無損檢測和流速測量等領域展現出極大應用潛力。針對CMUT,設計了一套高壓脈沖激勵系統,可以用于激勵CMUT發送超聲波。使用該系統對CMUT進行不同發射波形的測試對比。實驗結果顯示:在正極性偏置電壓下,對上電極施加峰峰值相同的負極性脈沖方波、雙極...

水溶性聚合物提高多晶硅CMP表面質量的機理————作者:張瀟;周建偉;楊云點;羅翀;欒曉東;邵祥清;李瑾;

摘要:通過實驗探究了在拋光液中加入羥丙基甲基纖維素(HPMC)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)兩種水溶性聚合物對多晶硅表面的影響機理。HPMC的加入在多晶硅表面形成氫鍵,并形成一層保護層,改變多晶硅表面的潤濕性,減少拋光液中堿性物質和多晶硅的化學反應,減少磨料與多晶硅表面/拋光墊的直接接觸,減小了摩擦。加入的PVP與SiO2顆粒之間通過氫鍵吸附形成軟磨料,提高了拋光液的分散性,減少了Si...

用于構建高性能超級電容器的多層片狀CoMoO4/Ni3S2納米復合材料————作者:陸惠群;梁龍生;羅杭;郭艷萍;陸森;林鍇松;鄭榮升;程再軍;

摘要:采用兩步水熱法在泡沫鎳襯底上沉積了CoMoO4/Ni3S2片狀納米復合材料用作贗電容電極。研究了不同水熱反應時間對CoMoO4/Ni3S2電極結構和電化學性能的影響,結果顯示,在120℃的水熱反應溫度下,反應時間為3 h時,CoMoO4/Ni

基于分布式聲波傳感系統的聲波信號探測研究————作者:解濤;秦海鑫;萬強;董朝強;徐晨;

摘要:利用分布式光纖傳感技術在10 km長單模光纖(SMF)上進行聲波信號的探測。采用搭建的分布式聲波傳感(DAS)系統,對不同頻率(500、1 000和2 000 Hz)、不同聲壓(90~110 dB)的聲波信號進行全光纖范圍內的探測,實現了10 km光纖沿路的分布式聲波信號探測與傳輸,聲波信號信噪比(SNR)可達50 dB以上,空間分辨率為10 m。此外,該系統可以在更多場景下與純光纖系統融合,構建...

碳化硅-玻璃-碳化硅陽極鍵合界面性能分析————作者:劉淑文;陰旭;劉翠榮;許兆麒;于秀秀;王強;

摘要:碳化硅(SiC)因其優異的高溫性能和穩定性,被廣泛認為是新一代高溫半導體器件封裝的理想材料。利用兩步陽極鍵合工藝實現了碳化硅-玻璃-碳化硅的可靠連接。兩步鍵合過程中,第一步和第二步中的峰值電流存在較大差異,尤其在第二步鍵合過程中電流出現二次峰值特征。采用掃描電子顯微鏡(SEM)和能譜儀(EDS)對樣品鍵合界面進行分析。研究結果表明:當電壓過大時,在第二步鍵合界面處會產生富碳層,從而影響鍵合效果。使...

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