【雜志簡介】

　　《半導體技術》以嚴謹風格，權威著述，在業內深孚眾望，享譽中外，對我國半導體事業的發展發揮了積極的作用。"向讀者提供更好資訊，為客戶開拓更大市場，提供技術成果展示、轉化和技術交流的平臺，達到了促進我國半導體技術不斷發展的目的"是《半導體技術》的追求，本刊一如既往地堅持客戶至上，服務第一，竭誠向讀者提供多元化的信息。趨勢與展望：全面闡述半導體技術與應用的發展趨勢;專題報道：每期就設計、生產、應用等企業關注的熱門技術及焦點論題，進行有深度、廣度的全面剖析;器件制造與應用：半導體器件的設計和制造及在各種領域中的應用;工藝技術與材料：介紹最新的半導體技術制作工藝和該領域用的新材料;集成電路設計與開發：各種IC的設計和應用技術、設計工具及發展動向;封裝、測試與設備：介紹器件、芯片、電路的測試、設備和封裝的前沿技術;MEMS技術：現代管理：半導體代工廠、潔凈廠房、半導體用水及氣體、化學品，等管理技術;綜合新聞：及時發布世界各地半導體最新產品及技術信息。《半導體技術》的稿件來源于全國各主要研究機構、大專院校和企事業單位等。

　　【收錄情況】

　　國家新聞出版總署收錄

　　中文核心期刊

　　中國科技論文統計用刊

　　國外數據庫收錄：俄羅斯文摘雜志、美國化學文摘、英國物理學、電技術、計算機及控制信息社數據庫

　　【欄目設置】

　　欄目主要設有： 1中國半導體發展趨勢論壇(綜述)：誠邀《半導體技術》的專家顧問發表精辟觀點和看法;政府主管部門領導提出政策投資建議。 芯片生產工藝技術：力求突出芯片制造新工藝、前道工序流程主流技術等。 IC封裝及測試：國外先進封裝技術如微間距打線技術;BGA; 疊合式/三維封裝;Quad 封裝等。以及IC測試、系統級測試等。新材料新設備：對半導體支撐材料如納米材料、環氧膜塑料、硅材料、低介電常數材料、化合物等及8-12英寸制造設備、后工序設備、試驗設備等加以闡述。全國集成電路產業介紹：圖文并茂的介紹中國集成電路產業發展較快的地方和基地情況，以利各方參考。企業：(采訪追明星蹤)針對國內外半導體行業的主流企業進行針對性訪問和系統介紹。為供需雙方提供具有參考價值的范本。新品之窗：對半導體設計與材料設備的新產品予以相關介紹和推薦設計與應用 ：嵌入式系統、PLD/FPGA設計;通信、網絡技術、DSP和多媒體應用;電源器件、數字/模擬IC、消費類/工業類電子器件等應用技術業界動態：綜合報道世界半導體行業最新動態會議報道：專門報道行業相關會議，傳達精神，指導工作。

　　雜志優秀目錄參考：

　　1 西門子解決方案合作伙伴計劃 637

　　2 硅基自旋注入研究進展 盧啟海;黃蓉;鄭礴;李俊;韓根亮;閆鵬勛;李成; 641-646+683

　　3 12 bit 200 MS/s時間交織流水線A/D轉換器的設計 楊陽;張科峰;任志雄;劉覽琦; 647-652+662

　　4 低頻低功耗無源RFID模擬前端設計與分析 林長龍;孫欣茁;郭振義;李國峰;梁科;王錦; 653-657

　　5 一種高頻E類功率放大器設計方法 劉超;陳鐘榮; 658-662

　　6 GaAs場效應晶體管不同極性ESD損傷機理 林麗艷;李用兵; 663-666

　　7 pH值對低磨料堿性銅拋光液穩定性的影響 秦然;劉玉嶺;王辰偉;閆辰奇;武鵬;王娟; 667-670+710

　　8 高濃度臭氧超凈水制備及在硅片清洗中的應用 白敏菂; 671-674+691

　　9 Ar/CO/NH_3等離子體刻蝕多種磁性金屬疊層 劉上賢;汪明剛;夏洋; 675-678+717

　　10 WS_2量子點邊緣結構和形貌的第一性原理計算 沈濤;梁培;陳欣平;歷強; 679-683

　　11 TSV封裝通孔形態參數對焊點熱疲勞壽命的影響 張翼;薛齊文;劉旭東; 684-691

　　12 FeNi合金UBM圓片級封裝焊點剪切力研究 奚嘉;陳妙;肖斐;龍欣江;張黎;賴志明; 692-698

　　13 點燃產業創新之火,IC China推動FPGA產業發展 698

　　14 基于可控電流源的太陽電池模型參數測試方法 張淵博;韓培德;卓國文; 699-705

　　15 用于監測硅片應力的紅外光彈儀 蘭天寶;潘曉旭;蘇飛; 706-710

　　16 HTCC工藝通用自動上下料系統設計與實現 張超;鄭宏宇;李陽; 711-717

　　17 第一次征稿通知 第11屆國際專用集成電路會議 718-719

　　18 2015’全國新型半導體功率器件及應用技術研討會會議通知 720

　　中國廣播電視學刊投稿：控制理論和控制工程的發展與應用分析

　　摘 要 隨著科學技術的不斷完善和發展，控制工程與控制理論也得到了不斷的完善，控制理論和控制工程被廣泛應用于各大企業系統生產中。在本篇文章里，筆者在控制工程與控制理論的基礎知識理論上，對控制工程與控制理論的相關歷史發展階段進行研究，并且分析了控制理論和控制工程的應用，以期望能夠為控制系統的發展以及相關研究提供有用的參考依據。

　　關鍵詞 控制理論和控制工程,發展,應用

　　控制理論雖然起源于英國18世紀的技術革命時期，但是卻在二十一世紀被廣泛應用。隨著社會經濟的不斷發展，控制理論和控制工程被廣泛的應用于相關工程企業當中。在本篇文章里，筆者不僅分析了控制理論和控制工程的發展，還探索了控制理論和控制工程的應用前景。

　　半導體技術最新期刊目錄

基于YOLO11n的輕量化芯片表面缺陷檢測方法————作者：孫佩月;黃娟;顧寄南;夏子林;高艷;

摘要：芯片表面缺陷具有尺寸微小、形狀不規則、類型多樣等特點，但現有目標檢測模型存在精度低、參數量大等問題，因此提出一種基于YOLO11n的輕量化芯片表面缺陷檢測方法。引入輕量級自適應提取（LAE）卷積，以減少參數數量和計算成本；為提高模型對芯片表面缺陷的檢測效果，在Neck中引入DySample上采樣模塊；為進一步提升模型整體性能，在Neck中融合多維協作注意力（MCA）機制。實驗結果表明，改進模型的檢...

4H-SiC MOSFET結構優化研究進展————作者：吳鑒洋;馮松;楊延飛;韓超;何心怡;曾雨玲;馬曉楠;

摘要：4H-SiC功率MOSFET因耐高壓、耐高溫和低損耗等特性，正迅速成為大功率半導體器件的研究熱點，廣泛應用于中高壓領域，具有非常重要的研究價值。從不同的靜態特性優化結構和動態特性優化結構方面總結了目前國內外平面型MOSFET與溝槽型MOSFET的研究進展，分析了不同特性優化結構在提升器件性能方面的優勢與局限，比較了新型優化結構器件的性能參數。通過對4H-SiC MOSFET不同特性優化結構的比較分...

基于SVMD-BKA-Transformer的IGBT壽命預測模型————作者：鄧陽;柴琳;汪亮;

摘要：絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）在持續運行過程中易發生老化失效，引發電力電子裝置故障，因此需對IGBT進行壽命預測，提出了一種改進模型用于IGBT壽命評估。首先，以集射極關斷尖峰電壓(V_ce-p)為退化特征，對IGBT進行功率循環加速老化試驗；獲取相關參數數據并進行處理；利用逐次變分模態分解（SVMD）技術將退化特征數據分解為多個模態。其次，構建Transformer模型并采用...

扇出型晶圓級封裝翹曲控制的研究進展————作者：張需;張志模;李奇哲;王剛;

摘要：扇出型晶圓級封裝（FOWLP）憑借其體積小、I/O端口密度高、成本低等優勢受到廣泛關注與研究，但晶圓在封裝過程中的翹曲卻嚴重影響了產品良率與可靠性。從材料改進創新、工藝流程優化、設計結構改進、仿真精確化四個角度，系統綜述了現有FOWLP翹曲的優化方法，分析了各方法的優勢與不足，并總結了其發展趨勢。研究結果表明，低熱膨脹系數（CTE）和高模量材料開發，以及工藝流程優化，對改善FOWLP翹曲具有關鍵作...

嵌入硅橋芯片的高密度有機基板制備與性能————作者：姚昕;張愛兵;李軼楠;

摘要：基于硅橋芯片互連的異構集成技術可以有效提升芯粒間局域互連密度，滿足高性能計算對芯粒間高密度互連日益增長的需求。圍繞億門級現場可編程門陣列（FPGA）電路多芯粒間短距離的互連傳輸需求，通過生長超高銅柱與嵌入硅橋芯片的有機基板實現芯粒間高密度互連，規避了傳統硅橋芯片嵌埋基板中深腔嵌埋的工藝風險，滿足多芯粒高速互連需求的同時提升了系統集成的互連可靠性。深入研究了嵌入硅橋芯片的高密度有機基板的制備與集成技...

光伏組件故障及檢測方法研究進展————作者：崔憲;石頡;孔令崧;

摘要：光伏系統的性能和可靠性對其廣泛應用至關重要，而高效的故障檢測技術是保障其長期穩定運行的核心環節。系統綜述了光伏組件的常見故障類型，包括電氣退化和不匹配、光學退化及非分類故障，分析了故障的成因及其對系統性能的影響。此外，總結了傳統檢測方法（如I-V曲線、紅外熱成像、電致發光等）及基于人工智能的新興方法（如深度學習與傳感器數據分析）。通過比較各方法的優缺點，指出傳統方法在檢測精度、實時性及復雜環境適應...

重離子導致的SOI SiGe HBT的SET數值模擬研究————作者：李府唐;郭剛;張崢;孫浩瀚;劉翠翠;史慧琳;歐陽曉平;

摘要：鍺硅異質結雙極晶體管（SiGe HBT）具有優異的低溫性能、抗總劑量效應和位移損傷能力，但是其對單粒子效應（SEE）較敏感。利用計算機輔助設計技術（TCAD）構建了SiGe HBT模型，研究了襯底類型、重離子入射位置、器件溫度和重離子線性能量轉移（LET）對SiGe HBT單粒子瞬態（SET）的影響。研究結果表明，集電/襯底結及其附近是器件的SET敏感區域，絕緣體上硅（SOI）工藝的引入有助于提高...

分步離心鑄造制備高效發光的CsPbX₃納米晶薄膜及其應用————作者：張銘軒;陳燃;王時茂;陶汝華;

摘要：銫鉛鹵化物鈣鈦礦(CsPbX₃)納米晶由于其優異的光學特性，在發光顯示領域展現出了廣闊的應用前景。但是在由CsPbX₃納米晶溶液制備固態熒光粉和薄膜的過程中由于配體的解吸附，存在納米晶光致發光量子產率（PLQY）大幅下降甚至超過50%的現象。在離心鑄造制備薄膜前引入低速離心工藝去除納米晶溶液中尺寸過大的納米晶，成功制備了3 μm厚的表面均勻無裂縫的CsP...

超寬禁帶半導體Ga₂O₃功率器件、紫外光電器件的新進展（續）————作者：趙正平;

摘要：在電動汽車等綠色能源應用和發展的帶動下，寬禁帶半導體材料SiC、GaN電力電子產業成為新一代產業的發展主流，而有可能成為下一代電力電子學發展的超寬禁帶半導體材料金剛石、Ga₂O₃和AlN已成為目前前瞻性的科研熱點，其中Ga₂O₃在這三種半導體材料中具有單晶尺寸發展最快、成本最低和功率二極管性能已接近工程化等特點...

室溫晶圓鍵合的金剛石基GaN HEMT制備與性能————作者：張棟曜;周幸葉;郭紅雨;余浩;呂元杰;馮志紅;

摘要：GaN作為第三代寬禁帶半導體材料,具有較大的自發極化系數和壓電系數,可承受高功率密度,適用于高頻、高溫、大功率器件。隨著GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）向小型化、大功率發展,散熱問題已成為制約GaN功率器件性能提升的重要因素。高熱導率(2 000 W·m^-1·K^-1)金剛石是一種極具競爭力的新型散熱材料,在解決大功率器件的散熱問題方面極具潛力。針對散...

基于襯底臺階調控技術的高質量GaN生長————作者：高楠;房玉龍;王波;張志榮;尹甲運;韓穎;劉超;

摘要：GaN晶體質量提升對材料及器件性能優化至關重要。通過金屬有機物化學氣相沉積（MOCVD）在SiC襯底上對GaN晶體質量進行了實驗研究。對比了高溫H₂刻蝕與高溫HCl刻蝕對襯底臺階的影響，并對后續生長的AlN和GaN晶體質量進行了表征，發現增加襯底臺階寬度有助于降低半高寬（FWHM）。采用不同表面預處理條件進行材料生長，發現氨氣/三甲基鋁（NH₃/TMAl...

面向低電壓穿越工況的DFIG變流器IGBT結溫管理————作者：楊晨;樂應波;楊程;李偉邦;何鑫;崔昊楊;

摘要：低電壓穿越(LVRT)期間，電壓驟降會導致雙饋風電機組(DFIG)電流嚴重畸變，變流器中IGBT模塊的瞬時功耗急劇上升，器件過溫失效風險劇增。通過仿真實驗分析了LVRT工況下變流器的溫升特性，提出了一種結合硬件保護電路與開關頻率調節的結溫治理方法。引入投資回報比(ROI)作為開關頻率選取依據，平衡溫升與電流總諧波失真(THD)增長率。采用量子粒子群優化(QPSO)算法確定最優開關頻率，并與卸荷撬棍...

“功率器件先進封裝與表征技術”專題征稿啟事

摘要：<正>功率器件是能源變換的核“芯”,其快速發展推動了能源革命。隨著我國“雙碳”目標的確立，對功率器件的功率密度提升、長期可靠性保障等提出了更高要求。因此，亟需新型封裝形式和技術以滿足不同應用需求，如新能源汽車主導的功率器件封裝變革，從傳統的平板散熱、針翅散熱、雙面散熱到單面直冷，再到近些年提出的印制電路板(PCB)嵌入式封裝，這些先進封裝技術均推動著功率器件的快速發展以及應用的多樣化，...

硅通孔互連結構熱-機械可靠性研究進展————作者：董子萱;倉冬青;趙繼聰;孫海燕;張凱虹;

摘要：高性能計算（HPC）和物聯網等新興領域的高速發展推動了封裝技術的進步，對更高集成度和更小型化電子設備的需求日益旺盛。傳統的2D封裝技術在滿足市場對芯片高性能和功能多樣化方面顯露出局限性，而2.5D封裝作為一項補充技術，已成為提升芯片性能和集成度的重要解決方案之一。因此，硅通孔（TSV）作為2.5D封裝中的核心組成部分，其互連結構的可靠性對2.5D封裝的性能和壽命有直接影響。以TSV的制作工藝及其潛...

強韌一體性Cu/Sn/Ag致密三維網絡狀接頭結構設計與制備————作者：張宏輝;徐紅艷;張煒;劉璇;

摘要：為滿足大功率電力電子器件耐高溫、高可靠性芯片焊接需求，解決Cu/Sn/Ag體系瞬態液相擴散焊接（TLPS）接頭脆性大、韌性不足、孔隙率高等問題，通過電鍍高純度Cu@Sn核殼結構復合粉末，物理氣相沉積鍍覆Ag層，研究了Sn鍍層厚度對接頭強度和孔隙率的影響、Ag鍍層厚度對TLPS接頭抗氧化性能和韌性的影響。結果表明，電鍍Sn層厚度為2～3 μm時接頭本體相孔隙率最低，抗拉強度達到86 MPa；Cu/S...

一種基于數字修調的高精度運算放大器————作者：張益翔;李文昌;阮為;賈晨強;張子歐;張天一;劉劍;

摘要：設計并實現了一款基于數字修調技術的高精度運算放大器，其整體電路包括偏置電路、放大器電路、數字修調電路以及靜電放電（ESD）保護電路。放大器的輸入差分對管工作在亞閾值區，偏置電流設計為正溫度系數(PTAT)電流，使得放大器輸入級具有恒跨導。提出了一種失調電壓修調結構，通過共模檢測模塊判斷產生失調的差分對管，并由熔絲陣列控制數模轉換模塊產生對應的補償電流，實現對差分對管電流的精確補償，并有效減小失調電...

柔性銅鋅錫硫硒薄膜太陽能電池研究進展————作者：花浩;孫孿鴻;趙宇;龐楚瀧;

摘要：銅鋅錫硫硒(Cu₂ZnSn（S，Se）₄，CZTSSe)具有組成元素豐富、環境友好和理論光電轉換效率高等優點，是一種具有大規模應用潛力的新型光伏材料。相比剛性襯底，柔性CZTSSe薄膜太陽能電池具有質輕和可彎折的獨特優勢，在光伏建筑一體化、柔性可穿戴設備等領域有廣闊的應用前景。從柔性襯底、殘余應力、制備方法、摻雜、界面工程等方面對柔性CZTSSe薄膜太陽...

SiC MOS電容氧化層界面缺陷鈍化效果分析方法————作者：胡燦博;劉俊哲;劉起蕊;尹志鵬;崔鵬飛;王德君;

摘要：SiC MOS器件的柵氧界面缺陷嚴重影響其性能。采用X射線光電子能譜（XPS）和二次離子質譜（SIMS）技術，識別了SiC MOS電容中的SiO_xC_y和C—C缺陷及其元素分布，并結合文獻數據確定了這些缺陷的能級位置，同時計算了其相應的時間常數。研究表明，這些缺陷的形成與氧元素缺乏密切相關，氧原子或離子因具有較強的穿透性，可有效消除這些缺陷。為優化樣品性能...

一種基于兩步式SAR ADC架構的智能溫度傳感器————作者：曹亦棟;陳雷;初飛;李建成;張健;李全利;

摘要：針對高速接口芯片的局部結溫監測問題，設計了一種基于兩步式逐次逼近型模數轉換器（SAR ADC）的片上智能溫度傳感器，該傳感器可配合上位機實現對全芯片溫度的實時監測，并輸出數字溫度碼。電路對橫向pnp三極管的基極-發射極電壓進行采樣，通過溫度監測模塊進行量化比較。電路采用了兩步式SAR ADC進行10 bit數字溫度碼的轉換輸出，兩步式SAR ADC通過調節電阻陣列實現粗量化，調節比較器輸入管陣列進...

可調諧MEMS-VCSEL微橋梁制備及其應力的影響————作者：朱魯江;孫玉潤;張琪;于淑珍;董建榮;

摘要：針對微電子機械系統（MEMS）的垂直腔面發射激光器（VCSEL）中靜電驅動微橋梁結構制備工藝開展研究，旨在制備平直的懸空微橋梁結構，并通過工藝優化提高其可靠性。利用干法刻蝕和濕法腐蝕相結合的方法刻蝕Ge犧牲層，這種方法既能夠防止濕法腐蝕橫向刻蝕過多，還可以提高Ge和底部電極Ti的刻蝕比。通過XeF₂氣體干法刻蝕去除剩余的Ge以釋放微橋梁結構，避免濕法腐蝕釋放造成的微橋梁結構與...

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