太赫茲科學與電子信息學報

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太赫茲科學與電子信息學報 關注(): 期刊周期：雙月刊; 期刊級別：國家級; 國內統一刊號：51-1746/TN; 國際標準刊號：2095-4980; 主辦單位：四川省電子學會; 主管單位：中國工程物理研究院; 上一本期雜志：信息化縱橫電子信息雜志; 下一本期雜志：電子設計技術國家級電子科技雜志

　　《太赫茲科學與電子信息學報》電子信息雜志，創刊于2003年，是由中國工程物理研究院主管，中國工程物理研究院電子工程研究所主辦、四川省電子學會協辦的國內外公開發行的學術期刊，經國家新聞出版總署批準，信息與電子工程、于2013年1月起更名為《太赫茲科學與電子信息學報》，國內外公開發行，主管單位為中國工程物理研究院，主辦單位為中國工程物理研究院電子工程研究所，協辦單位為中國兵工學會太赫茲應用技術專業委員會，中國工程物理研究院太赫茲科學技術研究中心以及四川省電子學會。本刊面向全國各地從事太赫茲科學與電子信息技術研究的專家，學者和廣大科技人員，為其搭建廣泛交流新思想，新理論和新技術的橋梁，促進太赫茲科學與電子信息技術等學簡直的交叉與融合，更快地推動我國太赫茲科學技術的發展。

　　《太赫茲科學與電子信息學報》刊登的主要內容包括太赫茲科學技術、探測制導、測控通信與電子對抗、電磁場與微波、信號與信息處理、計算機與控制、微電子、微系統與物理電子學等、太赫茲科學技術包括太赫茲產生、放大、傳輸、檢測等理論與技術，以及太赫茲在光譜學、通信、雷達、成像、材料檢測、天文學、空間科學、生物醫學等領域的應用技術等。敬希廣大讀者，作者繼續關注我刊，踴躍投稿，訂閱。

　　太赫茲科學與電子信息學報雜志欄目設置

　　太赫茲科學技術、探測制導、測控通信與電子對抗、電磁場與微波、信號與信息處理、計算機與控制、微電子、微系統與物理電子學

　　太赫茲科學與電子信息學報雜志榮譽

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　　太赫茲科學與電子信息學報最新期刊目錄

集成低勢壘二極管的1.2 kV SiC MOSFET器件功耗————作者：孫佳萌;付浩;魏家行;劉斯揚;孫偉鋒;

摘要：針對SiC金屬-氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在功率模塊續流過程中引起的高續流損耗問題，提出集成低勢壘二極管的SiC MOSFET(LBD-MOS)結構。對LBD-MOS和傳統的SiC MOSFET(CON-MOS)在相同面積下的總功耗進行研究，仿真結果表明，LBD-MOS的續流壓降UF為1.6 V，比CON-MOS降低了50%;LBD-MOS的開關損耗Eswitch為187.3μJ，比...

GaN HEMT器件動態導通電阻的測試電路————作者：劉夢麗;李勝;馬巖鋒;劉斯揚;孫偉鋒;

摘要：氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMTs)的異質外延工藝導致GaN HEMT器件存在陷阱效應，造成器件在連續瞬態工作條件下的導通電阻產生動態變化(簡稱動態導通電阻)，并高于靜態條件下的理論值，對功率系統穩定性造成危害，因此需對GaN HEMT器件動態導通電阻高效、精確的測試方法進行研究。本文介紹了GaN HEMT器件動態導通電阻的產生機理，結合實際測試需求，設計了一種基于超高速電壓反饋型運算放...

國產6英寸SiC基GaN HEMT研制————作者：孔欣;汪昌思;

摘要：近年來，國產6英寸SiC基氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)研制取得明顯進展。本文研究了多層介質應力調制技術和高一致性背孔刻蝕技術，并應用于6英寸工藝整合。在48 V工作時，0.5μm工藝在3.5 GHz輸出功率密度達8.6 W/mm，功率增益達15 dB，功率附加效率為58.5%；在28V工作時，0.25μm工藝在10GHz輸出功率密度達5.5W/mm，功率增益為8.7 dB，功率附加...

基于SiC DSRD納秒級高壓脈沖產生電路關鍵參數研究————作者：楊早;陳萬軍;陳資文;

摘要：介紹了一種基于漂移階躍恢復二極管(DSRD)的納秒級高壓脈沖產生電路的工作原理，對該電路進行建模，并根據模型討論了影響脈沖輸出特性的關鍵電路參數。實驗中采用本實驗室研制的高壓碳化硅(SiC) DSRD器件在50Ω的標準負載上得到了峰值為2.27 kV，上升時間為1.846 ns的納秒級脈沖電壓，并在此基礎上改變電路中的關鍵參數進行測試，得到的脈沖電壓峰值變化趨勢與從模型中分析的保持一致，驗證了模型...

高精確度大比特位延時器芯片研制————作者：陳月盈;劉帥;楊柳;趙子潤;

摘要：基于GaAs襯底增強/耗盡型贗配高電子遷移率晶體管(E/D pHEMT)工藝，研制了一款0.5～6 GHz三位可調1 400 ps數控延時器芯片。芯片尺寸為3.60 mm×4.00 mm×0.07 mm，集成了3位數控延時器和3 bit并口驅動電路。在0.5～6 GHz范圍內，該數控延時器芯片插入損耗小于11 dB，插損波動小于±0.5 dB，全態輸入輸出駐波比(VSWR)均小于1.5,1 400...

一種具有高電流能力的雪崩觸發柵控晶閘管————作者：孫新淇;楊禹霄;鄧時雨;陳資文;劉超;孫瑞澤;陳萬軍;

摘要：提出一種新的利用雪崩觸發的MOS控制晶閘管(AT-MCT)，在電容脈沖放電中實現了高電流峰值、高電流上升能力(di/dt)及非工作狀態的非激活保護功能。器件結構包含P-body中的高摻雜雪崩層(N-AL)以及陰極區域和MOS結構分離的N+。當施加柵極電壓時，MOS產生的溝道將N-drift電勢轉移至N-AL中，高摻雜N-AL中由于電場尖峰而發生雪崩，產生的電子-空穴對作為晶閘管的基極電流使AT-M...

高角度穩定的柔性透明頻率選擇表面吸波體————作者：楊午;羅雋;周艷萍;劉長軍;趙翔;閆麗萍;

摘要：為了提高頻率選擇表面(FSS)吸波體的角度穩定性，結合介質補償層，采用氧化銦錫電阻膜設計了寬帶吸波體，具有柔性透明、極化不敏感性和高角度穩定性的特點。該吸波體的90%吸波帶寬覆蓋5.66～22.98 GHz頻段范圍，相對帶寬達到121.0%。當電磁波入射角在0°～60°范圍內變化時，該吸波體仍能在7.00～22.86 GHz頻段內保持80%以上的吸波率。加工和實驗測試表明，所設計的FSS吸波體呈現...

基于雙頻段幅相雙調控超表面的陣列波束賦形————作者：王玲;王翔;丁軍;

摘要：提出一種雙頻段幅相雙調控超表面，實現在2個預設頻點上任意形狀的波束賦形。即將2個不同尺寸的諧振器組合在超表面單元中，使其能夠在2個頻點處獨立進行幅度和相位的控制。在線極化激勵下，幅度調控通過旋轉諧振器實現；相位調控則通過改變諧振器的開口大小實現。利用結合泰勒綜合法和遺傳算法的改進型陣列綜合算法，獲得非常符合目標形狀的遠場方向圖，且由此得到的相位范圍較小，有利于實現高效率陣列波束賦形。最后設計了一個...

高功率微波對雷達電纜“后門”耦合特性分析————作者：胡欣;楊江平;孟藏珍;許一;項建濤;

摘要：為研究高功率微波武器通過雷達外露電纜后門攻擊雷達系統可能造成的毀傷問題，建立了雷達單元間電纜模型。對比分析不同電纜類型、架設高度、電場方向、電纜長度對耦合信號的影響；通過輻照實驗測量耦合信號特征，分析耦合信號對雷達的影響；設計相應的防護電路，并討論其他的防護措施。理論分析和實驗結果表明，耦合信號峰值電壓和波形受電纜型號、架設高度、電場方向等因素影響較大；耦合信號諧振頻率受電纜長度影響較大。通過技術...

基于改進PSO算法的高增益DC/DC變換器小信號模型辨識————作者：陳佳;郭玉祥;劉紅霞;王佳豪;宋久旭;

摘要：高增益DC/DC變換器在新能源發電和直流微網中具有良好的應用前景，而良好的動態特性是其應用的基礎。與傳統開關變換器相比，高增益變換器建模存在計算量大和模型階數高等難題。本文基于系統辨識的高增益變換器系統建模新方法，在分析三繞組Boost-Forward變換器工作原理基礎上，采用狀態空間法建立變換器的小信號模型，并對建立模型正確性進行仿真驗證。重點分析了狀態空間法建模誤差的來源，使用最小二乘法初步提...

基于多目標優化的源網荷儲協調調度求解————作者：宋明曙;蘇常勝;吳茂乾;宋煒;何凱;

摘要：針對當前源網荷儲協調調度過程中單目標優化算法導致新能源消納能力較差的問題，結合多目標優化算法，提出源網荷儲協調調度問題求解優化方法。以最小調度成本和最大可再生能源消納量為目標，定義源網荷儲協調調度多目標優化函數；從能源元件、主網能源購買、柔性負荷響應、儲能裝置4方面，分別設置合理的約束條件，在粗糙集理論的輔助下，確定每個調度優化目標函數的權重系數，并引入非線性權重的改進鯨魚優化算法求解多目標優化函...

彈跳機器人跳躍姿態模糊自適應PID控制仿真————作者：皮明;楊濤;

摘要：針對現有的彈跳機器人無法對自身的跳躍姿態角度進行精確控制的問題，提出一種基于飛輪反作用力調節的彈跳機器人跳躍時的姿態控制方法。在跳躍時，通過飛輪連續轉動時產生的反作用力，可以實現機器人姿態角度的調節，每個飛輪調節器使用模糊自適應比例-積分-微分(PID)控制器進行控制。相較于傳統的PID控制器，模糊自適應PID能夠更快，并以更小的跟蹤誤差實現機器人姿態角度的調節。仿真結果表明，相較于傳統的姿態控制...

一種基于改進ANN的光纖通信網絡鏈路均衡方法————作者：宇文驪敏;

摘要：針對目前強度調制和直接檢測(IMDD)短距離光纖通信系統補償非線性失真時存在較高的實現復雜度的問題，提出一種基于自適應人工神經網絡(ANN)均衡器。結合光通信網絡特點，確定ANN中輸入層、隱藏層節點和訓練樣本的數量；考慮到光纖系統的噪聲以及由于色散引起的失真，對訓練樣本進行擴展，從而提高ANN均衡器泛化能力；自適應調整ANN均衡器權重，并利用權重值的小變化跟蹤信道波動，緩解光纖通道的參數因環境條件...

基于THZ-TDS鍍銀低輻射玻璃鍍層質量及缺陷檢測————作者：李昶;路學光;陳科帆;黃婉霞;李建根;趙曉健;黃維;吳翔;

摘要：低輻射(Low-E)玻璃的性能以及缺陷檢測在其生產中具有十分重要的意義，目前對于單、雙、多銀等Low-E玻璃，缺陷檢測主要是對其可見光圖像進行分析，存在著一定的局限性，如對比度不足，識別效率較低等。太赫茲波能夠穿透多數非導電材料，在內部缺陷檢測，結構分析等方面表現出色。因此，利用太赫茲時域光譜(THz-TDS)以及基于該原理的掃描成像技術來檢測Low-E玻璃的鍍層結構及其表面劃痕損傷。通過反射式太...

W波段寬帶帶狀注行波管超短高頻結構設計————作者：郭錚;張長青;蔡軍;馮進軍;

摘要：基于超短H面耦合器和切斷結構，將一個W波段周期會切磁場(PCM)聚焦的寬帶帶狀注行波管的高頻結構縮短了27.7 mm，使其在13 GHz帶寬內(90～103 GHz)可以產生超過200 W的功率。并對超短切斷結構中的注波互作用進行了研究。研究表明，在第一段慢波電路足夠長時，超短切斷結構可以緩解行波管切斷處群聚電子的發散程度，從而大幅提升行波管的輸出功率和帶寬。因此，在設計大帶寬行波管時，應當避免出...

《太赫茲科學與電子信息學報》2025年第6期專欄征稿主題：太赫茲雷達及天線技術與發展研究

摘要：<正>太赫茲技術不僅能夠極大提高信息傳輸速率，而且可以大幅提升網絡容量，將成為6G通信的核心技術和發展方向。太赫茲雷達及天線作為太赫茲技術的當今熱點，其在相關武器和通信裝備的可用頻譜資源向太赫茲頻段擴展，旨在提升高通量通信的能力。對其進一步的深入研究，必將使其功能更加有效地豐富起來，以滿足日益增長的應用需求。為進一步促進太赫茲雷達及天線領域的新理論、新技術、新方法的創新研究，促進全國太赫茲雷達及天...

《太赫茲科學與電子信息學報》2025年第7期專欄征稿主題：太赫茲源及其探測應用

摘要：<正>太赫茲源是太赫茲波技術應用與發展的關鍵，它在太赫茲通信、探測、安全檢測、特征分析等領域發揮重要作用，太赫茲波功率、頻率、帶寬、穩定性、可靠性是太赫茲源的主要特性，研制高性能的太赫茲源并開展其探測應用研究，對提升太赫茲波技術的廣泛應用具有重要意義，也對促進太赫茲科學與技術的發展具有積極作用。為進一步促進太赫茲源及其探測技術等領域的新理論、新技術、新方法的創新研究，促進全國太赫茲源及相關行業的相...

《太赫茲科學與電子信息學報》2025年第9期專欄征稿主題：機載太赫茲雷達成像與目標檢測識別技術

摘要：<正>低空對地監控是我國公共安全監控和人民安全防護的重要手段，機載探測感知系統與技術是低空對地監控能力實現的核心要素。太赫茲雷達成像為全天候、視頻級、高分辨監視提供新的技術與裝備，為交通監控、應急救援、安防反恐等領域提供可靠信息來源。如何基于機載太赫茲雷達視頻中的動/靜目標信息，進行重點區域目標檢測、識別、跟蹤，值得深入探索。此外，視頻SAR與可見光、紅外寬譜段集成，還可以視頻級高刷新率實現低空對...

《寬禁帶半導體材料、器件、電路與系統集成》專欄發刊詞

摘要：<正>寬禁帶半導體的禁帶寬度顯著高于傳統硅基材料，展現出高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率等顛覆性物理特性。隨著電力電子系統向高頻化、大功率化方向演進，傳統的半導體材料因耐壓能力有限、高溫穩定性不足、高頻損耗嚴重等問題，難以滿足新型半導體器件的技術需求。寬禁帶半導體憑借其獨特的材料優勢，在新能源汽車電控系統、軌道交通牽引變流器、5G基站射頻模塊等關鍵領域展現出不可替代的作用。深入開展寬禁帶半導體...

《太赫茲科學與電子信息學報》2025年第8期專欄征稿主題：能源人工智能、理論與應用

摘要：<正>能源人工智能是人工智能的相關理論、技術和方法與能源系統的物理規律、技術與業務流程融合創新形成的“垂直領域人工智能”。數據驅動的人工智能技術是支撐新一代能源體系與國家安全的重要手段。新一代能源系統的顯著特征是數據驅動的能源生產、運輸、高效利用、多能互補、綜合人工智能和物理基礎原理深度融合。數字化與智能化轉型是能源行業實現碳中和、碳達峰目標的重要手段。AI技術作為數字化與智能化的核心技術之一，可...

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